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ASML光刻機已不能掐中國晶片脖子：中芯國際7nm工藝取得重大突破

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近日，中芯國際聯合CEO梁孟松在接受採訪時表示：對於先進晶片製造的7nm以及14nm的替代解決方案N+1、N+2代工藝取得重大進展，其中N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

N+2則面向高性能的7nm工藝，但成本也會增加。

更為可喜的是當前中芯國際研發的N+1、N+2代工藝都不會使用EUV工藝。

這也就意味著在沒有ASML的EUV光刻機的情況下，中芯國際可以進行更為先進的晶片製程的研究。

中芯國際14nm工藝已量產

得益於中芯國際在先進晶片領域的大量投入，2019年中芯國際在14nm工藝製程量產方面取得重大進展，良率達到了95%以上，月產能達到5千片以上。

由於美國降低技術比重，導致台積電已無法為華為海思代工14nm工藝的晶片，中芯國際此時取得突破正好為國產關鍵科技技術避免被國外掐脖子做出了突出貢獻。

華為也將相應的訂單轉向給了中芯國際，中芯國際也因為14nm工藝的量產而業績大增。

受制於高端EUV光刻機，7nm工藝受阻

目前，台積電以及三星等國際巨頭已實現7nm工藝的量產並向5nm甚至更先進的工藝製程發起了衝鋒。

而這一切的基礎是擁有更為高端定位光刻機，然而中芯國際採購的本應於2019年年底到位的ASML的EUV光刻機由於美國的干預而遲遲不能到位，導致7nm量產工藝的受阻。

此次，中芯國際利用N+2代工藝跨過光刻機瓶頸的限制，直接攻克了7nm的核心技術可謂是重大利好，一旦光刻機採購到位便可以直接切換而進行量產，不會由於光刻機的缺席而導致即技術代差被國際巨頭拉大，同時這對於華為海思來說也能夠在跟台積電進行商務談判時增加砝碼！

小結

技術的封鎖激發出的自主研發以及核心技術的突破是中國科技崛起的必經之路！期待中芯國際在先進晶片製造領域給國人帶來更多的驚喜！

各位看官，你們怎麼看到此次中芯國際在7nm工藝上的突破？歡迎大家關注並留言參與討論！

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