中芯國際14nm工藝又有新突破 第一代FinFET技術已開始客戶導入

中芯國際作為中國大陸地區排名第一大本土晶圓代工廠商，業界人士一向是關注中芯在推進研發製程工藝的進展。

而就在上個月，供應鏈傳出消息，中芯正在加速推進的14nm FinFET工藝，已經接近研發完成的階段，試產時的良率也已達到了95%的水平。

所以，中芯的14nm工藝在2019年時開始正式投入量產應該不成問題。

晶圓最終的良率，則是由每一步工藝的良率累計相乘後的結果。

從晶圓製造、中測、封裝到成測，每一步都會對良率產生影響。

這當中，晶圓製造因為工藝本就複雜，工藝步驟達300步左右，是影響良率的、主要的因素。

換言之，晶圓的良率越高，同一片晶圓產出好的晶片就會隨之增多，每顆晶片的成本就會更低，這對廠商而言顯然是有利的。

美國加州大學洛杉磯分校的材料科學與工程系教授謝亞宏在接受媒體的採訪時曾說：「晶片技術，難點在什麼地方？它需要整個公司，好比說我是一個公司來做晶片的話，我需要公司裡面上下一心，大家都在一心地貢獻來做這個東西，才有可能把它做得好。

矽送進叫做晶片的生產線，一般的時候它經歷今天的技術大概兩千多步；這個步，就是每一步你做一個，好比說我曝一個光，我腐蝕一下，我沉積一下，這每一個都是一步。

其實每一個都是好多步，因為你在沉積之前，你還得清理、清洗表面，然後你還得做這個做那個。

就是每一個都是一步，這每一步壞的比率不能超過0.000001%。

因為什麼呢？因為每一步都在原有的基礎上製造，你要兩千多步，每一步就是99%的成功率的話，你把99%乘以99%乘以99%……乘兩千遍，你就看到，基本上你出的成品率，就低到沒法再低了。

低過80%、90%，你就基本上要虧錢的。

」

目前，中芯最先進的製程技術仍是28nm工藝，與台積電、三星、格羅方德、英特爾等廠商相比明顯落後一大截。

中芯為了在技術上加速追趕領先的同行，便在 2017年底延攬前台積電研發大將梁孟松擔任聯席首席CEO，並希望由梁孟松指導中芯推進研發14nm FinFET製程工藝。

正因如此，中芯的14nm工藝得以很有希望在2019年正式量產。

上個月，有對中芯有所了解的人在網絡上留言：「中芯現在14nm生產線廠房都沒封頂，根本不可能那麼快推進14nm工藝，廠房估計今年7、8月就能完成封頂，然後是動力設施和無塵車間建設要半年，這就到2019年2月了，然後開始搬入機台，大概會在2019年6、7月完成試產線機台的搬入，8月份左右會開始試產，不過估計良率會低於30%，經過半年在2020年初估計良率會在60%左右。

這已經是因為梁孟松這位大牛的加入在飛奔了，不然起碼還得往後延長一年。

」

而就在今天，中芯公布了今年第二季度的業績數據，中芯兩位執行長趙海軍、梁孟松在場評論說：「中芯處於蓄勢過渡時期。

在推進技術、建立平台和構築合作關係上，我們看見令人鼓舞的初步進展。

同時，我們向今年高個位數的收入成長目標邁進。

隨著需求和產能利用率在二季度回升，不包含技術授權收入的中國區收入環比和同比成長了14%和38%。

作為中國首選晶圓代工夥伴，我們相信必將受惠於中國晶片市場的成長機遇。

我們欣喜地告訴大家，在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。

第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。

除了28納米PolySiON和HKC，我們28納米HKC+技術開發也已完成。

28納米HKC持續上量，良率達到業界水平。

我們將繼續擴展和提升我們的成熟和先進技術平台，提供客戶全面有競爭力的服務。

」