同是10納米，高通鄙視聯發科：沒資格，談不上競爭

目前市場流傳有5顆10nm移動處理器，分別是驍龍835、Helio X30、麒麟970、蘋果A10X和三星Exynos 8895，其中前兩者已經得到官方確認。

高通對於10nm的X30不屑一顧。

究竟差距在哪裡，且聽我慢慢道來。

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什麼是10納米

10納米即CPU的「製作工藝」，是指在生產處理器的過程中，集成電路的精細度，也就是說精度越高，生產工藝越先進。

在同樣的體積下可以塞進更多電子元件，處理器的性能更強，功耗更低。

10納米製程晶片面積遠遠小於14納米製程晶片，這意味著廠商有更多的空間來為智慧型手機設計更大的電池或更纖薄的機身。

工藝的改善加上更先進的晶片設計，能夠顯著延長手機續航時間。

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高通驍龍835

驍龍835是高通下一代驍龍處理器，高通驍龍835晶片在2017年初發布，支持Quick Charge 4.0快速充電技術，基於三星10nm製造工藝打造。

2016年11月17日，高通正式公布了驍龍835處理器。

2017年上半年才能正式出貨。

工藝

高通驍龍835晶片基於三星10nm製造工藝打造。

10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835晶片面積將變得更小。

2016年10月，三星宣布率先在業界實現了10納米 FinFET工藝的量產。

與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的晶片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。

通過採用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的晶片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。

製程工藝的提升與更先進的晶片設計相結合，預計將會提升電池續航。

性能

驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，並採用八核設計。

驍龍835將採用10nm八核心設計，大小核均為

Kryo280架構，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內存，整合了Cat.16基帶。

新的驍龍835處理器，支持Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。

另外其具備更小的晶片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計。

驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運存，帶寬提升明顯。

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聯發科X30

2017年2月27日，聯發科技在2017世界移動大會（MWC）上宣布，聯發科技曦力X30（ Helio X30）系統單晶片（SoC）正式投入商用，將重新定義高端智慧型手機的高性能和使用體驗。

聯發科技Helio X30正在進入大規模量產階段，2017年第二季度上市。

工藝

Helio X30採用10nm製程，繼續採用三叢十核，具體包括兩個Cortex-A73 2.8GHz、四個Cortex-A53 2.3GHz、四個Cortex-A35 2.0GHz。

性能

GPU使用Imagination PowerVR 7XTP，四核心，820MHz；內存支持提升到四組16-bit LPDDR4X 1866MHz，最大容量8GB，同時支持UFS 2.1；整合基帶LTE Cat.10，支持三載波聚合，最大下載速率450Mbps，上傳100Mbps。

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綜合對比

高通的驍龍835無比強勢，幾乎橫掃全球各大手機品牌，三星、小米、索尼、樂視等等的新品都已經曝光，繼續上演旗艦壟斷局面已是必然。

雖然三星和台積電的10nm工藝都傳出良率不佳消息，但是驍龍835似乎並未受到影響，老客戶滿意度明顯提升，新客戶接單量也創造新高，第二季度即可大批量交貨。

同時，高通對於驍龍835平台的支持明顯更給力，軟體、固件都在持續更新。

聯發科苦心打造的全球十核心Helio X30雖然很有噱頭，比如第一個三叢簇三架構設計，但一則據傳性能不理想，和驍龍835完全不是一個檔次，二則台積電10nm工藝良率更低，Helio X30遲遲無法量產。

迄今為止，尚無一家知名手機品牌採納Helio X30，有消息稱小米、樂視都已經放棄，看樣子只能期待魅族了。

業內人士認為，驍龍835平台的表現明顯勝出，加之全球智慧型手機行業趨於成熟，手機廠商肯定都是以穩妥為主，驍龍835已經穩贏。

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高通甚至放出狠話，X30不夠資格和835較量，因為根本不是同一等級！

各位小夥伴，你們怎麼看？