文章標籤：高通事情性能炸裂驍龍處理器支持快充

高通搞事情啊！性能炸裂的驍龍835處理器來了 支持QC4.0快充！

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【TechWeb報導】現在安卓智慧型手機中最為旗艦的型號就屬高通821了，這個被廠商和用戶公認為滿血版的晶片，恐怕在過幾個月後也要退居二線。

高通公司宣布將與三星電子合作共同開發下一代驍龍835處理器，最大特色是採用三星10納米製程工藝打造，同時支持Quick Charge 4.0快充技術。

根據展示會上的介紹，它是第一款利用三星10nm技術製造的手機晶片，明年上半年將會搭載到成品手機上面。

高通為何選擇和亦敵亦友的三星合作共同研發驍龍835處理器?

主要原因還是三星在今年10月份，就率先公布了10納米工藝的量產，與上代14納米工藝相比，10納米可以減少30%的晶片尺寸，同時提升27%的性能以及降低40%的功耗。

該晶片已經開始批量生產，最早的手機有可能在明年MWC大會登場。

三星10納米工藝技術，能夠直接幫助高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸，讓OEM廠商可以進一步優化移動設備的機身內部結構，比如增加電池或是實現更輕薄的設計等等。

當然按照常理來講，製程工藝的提升也會改善電池續航能力。

高通驍龍835還有一個亮點就是快充升級，按照高通的說法，QC 4.0加入了Dual Charge技術，相比QC 3.0來說，充電速度可提升20%，效率則能提升30%。

同時，QC 4.0還加入了對USB Type-C和USB-PD的支持。

高通產品管理高級副總裁Alex Katouzian表示，QC 4.0能在大約15分鐘或更短時間內，充入高達50%的電池電量。

高通驍龍835處理器最快將在明年一季度實現量產，所以真正搭載它的智慧型手機，估計要在2017下半年開售了。

不過既然三星和高通聯合開發，三星Galaxy S8會不會是最早搭載該晶片的手機呢？

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