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投資3000億美元，中國晶片迎3大好消息！國產光刻機實現技術突破

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據外媒12月24日報導，中國高科技企受到北美限制後加強了對國內供應的需求，為中國晶片業發展帶來了3000億美元的投資機會。

當前，中國已經有近2000家晶片設計相關企業，主要有華為，紫光展銳，依圖科技等，中國晶片企業占全球晶片營收13%。

而重視之下必有突破，近期中國晶片更是迎來了三大利好消息。

1、從無到有，中國存儲晶片產量全球占比將達5%

過去五年由於深受存儲晶片短缺之苦，中國掀起了一股存儲晶片發展熱潮。

經過堅持不懈的努力之後，今年中國在存儲晶片領域不斷取得新的突破。

據日媒報導，中國新興晶片產業的產量有望在2020年底占到全球存儲晶片總產量的5%左右，而這一占比在去年還幾乎為零。

據了解，今年9月中國半導體企業紫光集團旗下的長江存儲已經開始對自主研發的64層3D NAND快閃記憶體晶片進行量產。

而據其預計，到明年年底，其投資240億美元新建的武漢工廠的產量將增加兩倍，達到每月6萬片，占全球產量的5%。

與此同時，長鑫存儲在合肥投資80億美元所建工廠的DRAM晶片產量將增加三倍，達到每月4萬片，占世界DRAM產量的3%。

目前，NAND快閃記憶體和DRAM晶片的全球產量均為每月130萬片左右。

這兩個市場都由美國、韓國和日本的製造商所主導，比如三星電子、SK海力士、美光科技。

雖說，長江存儲和長鑫存儲加起來每月10萬片的出貨量對於大公司而言顯得微不足道，但是，此前在這兩個市場中國都是"零生產"，這10萬片意味著中國推動技術自給自足的努力即將取得重大突破，同時也是打破美日韓壟斷的關鍵。

2、14nm到9nm，國產光刻機再次實現技術突破

在一般情況下，晶片的生產過程包括兩個環節，一個環節是設計，一個環節是製造。

我國在晶片設計環節，包括華為海思等知名中國科技企業均已經研發出7nm工藝製程的晶片，但是晶片製造環節卻依舊是中國企業最大的短板，畢竟用於生產製造晶片的光刻機便是一大難題。

而在意識到晶片製造過程受限於人將會產生連鎖弊端後，中國開始在國產光刻機領域進行了巨額投入，並且不斷傳來好消息。

前段時間，中國自主研發的14nm光刻機已經初步通過了專家組的驗收和審核，而繼14nm製程工藝後，一個振奮人心的消息再次傳來，國產光刻機再一次實現了新的技術突破。

據媒體報導，武漢光電國家研究中心的甘宗松團隊，目前已經成功研發9nm工藝製程的光刻機。

值得一提的是，與傳統光刻機不同，這款國產光刻機利用二束雷射突破了衍射極限的限制，而這是中國具有自主產權的技術。

這也意味著國產光刻機的技術難關已經被攻破，打破了長期以來國外對中國的技術封鎖與限制，不過即便目前國產光刻機在9nm製程工藝方面有所突破，而與荷蘭ASML所掌握的7nm工藝製程相比還是存在一定的差距。

但是不可置否的是這確實是中國晶片發展史上的一個重要里程碑，一旦國產光刻機實現量產，未來能否打破ASML壟斷我們可以拭目以待。

3、 中國半導體實現新突破：成功進軍全球首條5nm晶片製程生產線

另外，除了光刻機，蝕刻機也是半導體工藝中不可缺少的一步。

據了解，光刻機、蝕刻機和MOCVD等設備，一併被稱為半導體工藝三大關鍵設備。

刻蝕機作為晶片製造中的一種關鍵設備，用來在晶片上進行微觀雕刻，一定程度上決定了晶片製造的最高水平。

然而，鮮為人知的是，我國國產刻蝕機水平早已遙遙領先世界。

根據摩爾定律的發展走，台積電的晶片製程已經從14nm發展到5nm，並將進入大規模的生產節點，而晶片製程不斷地演進，對設備的加工精度要求也隨之提升。

值得一提的是，經台積電驗證，中微半導體自主研製的5nm等離子體刻蝕機，性能優良，將用於全球首條5nm晶片製程生產線。

而中微半導體的5nm蝕刻機成功打入台積電的供應鏈，則意味著創造了中國半導體設備的又一個里程碑。

可以看出，越來越多的證據表明，中國的晶片製造正在進入一個新時代，雖說，如今我國晶片產業與世界一線水平仍存在著一定的差距，但是我們仍要相信：道阻且長，行則將至。

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