誰也無法阻止中國芯崛起中國新型光刻機問世可加工22納米晶片

2020-09-09

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近段時間，美國對中國高科技產業尤其是晶片領域動作頻頻，美方的目的世人皆知。

很多人因此而對中國科技產業的未來憂心忡忡，缺乏信心。

大家都知道，光刻機的研發是晶片產業的制高點之一，難度極大。

像荷蘭ASML光刻機就是多國合作的結果，單靠美國也是搞不出來的。

而我國恰恰就不信這個邪，硬是在光刻機研發上殺出了一條新路。

ASML光刻機

近日，國家重大科研裝備研製項目「超分辨光刻裝備研製」通過驗收。

該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製，光刻分辨力達到22納米，結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10納米級別的晶片。

該項目建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過國外相關智慧財產權壁壘，具有完全自主智慧財產權。

類似例子還有很多。

在眾多半導體製造設備之中，發揮最為關鍵作用的設備有兩種，第一種是光刻機，第二種是等離子刻蝕機。

目前中微開發的電容性等離子刻蝕機和電感性等離子體刻蝕機在性能和性價比上都進入國際三強。

據介紹，在國內，中微半導體的高端設備產品已在逐步取代美國設備，市場占有率在步步提高。

中微刻蝕機已進入國際最先進的7nm生產線，並核准了5nm器件的刻蝕應用，介質刻蝕市場占有率位列第三。

美國VLSIResearch曾公布過一份全球半導體設備「客戶滿意度」評比，中微被評為僅次於荷蘭ASML和一家美國公司的第三位。

中微半導體的Primo SSC AD-RIE刻蝕機

在晶片製造方面，中芯國際聯席執行長趙海軍博士和梁孟松博士此前曾表示，中芯國際在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。

第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。

除了28納米PolySiON和HKC，中芯國際28納米HKC+技術開發也已完成。

28納米HKC持續上量，良率達到業界水平。

另一家中國晶片製造企業華虹集團董事長張素心也曾表示，華虹目前28納米工藝產品良率達到93-98%，2020年華虹將具備14納米FinFET產品生產能力。

另外此前據相關報導，神威E級原型機的處理器、網絡晶片組等核心器件全部實現國產化；「天河三號」全部使用了自主創新技術，包括自主飛騰CPU。

8月7日，紫光旗下長江存儲公開其突破性技術XtackingTM，且該技術已成功應用於第二代3DNAND產品的開發中，預計於2019年進入量產階段。

長江存儲於2017年成功研發中國首顆32層三維NAND快閃記憶體晶片。

據紫光集團聯席總裁刁石京透露，長江存儲32層3DNAND快閃記憶體晶片將於今年第四季度量產，而其64層3DNAND快閃記憶體晶片研發也在緊鑼密鼓地進行，並計劃於2019年實現量產。

長江存儲全新3D NAND架構: Xtacking™

目前中國電科自主研發的多台12英寸離子注入機進入北京中芯國際生產線量產，量產工藝覆蓋至28納米。

實踐證明，針對一些卡脖子的薄弱領域，中國人完全有能力研發出自己的核心晶片和裝備。

一些暫時攻克不了的，多給點時間，遲早也會被我們拿下。

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