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中微5nm刻蝕機通過台積電認證，光刻機仍任重道遠

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圖片來自網絡

12月18日，中微半導體對外透露，其自主研發的5nm等離子體刻蝕機性能優良，已通過台積電認證，將用於全球首條5nm製程生產線。

此前，台積電曾在今年12月初對外宣布，將在2019年第二季度進行5nm製程風險試產，預計2020年量產。

刻蝕是使用化學或者物理方法有選擇地從矽片表面去除不需要材料的過程，是完成光刻工藝後複製掩膜圖案的關鍵步驟。

完成這一步驟的刻蝕機是半導體晶片製造的關鍵裝備之一，曾是一些已開發國家的出口管制產品。

信息源：

https://mp.weixin.qq.com/s/oeM03hpCY6LcMFn4bVmOWQ

http://www.eetop.cn/blog/html/53/n-6014953.html

點評

現階段，半導體產業能量產的最先進工藝節點是7nm，台積電全面領先。

而中微半導體是唯一打入台積電7nm製程蝕刻設備的大陸本土設備商。

業內認為，中微與泛林、東京電子、日立4家美日企業一起，組成了國際第一梯隊。

此次其自主研製的5nm等離子體刻蝕機，突破「卡脖子」技術，有望贏得比7nm更大的市場份額。

但是，在先進位程中最為關鍵的光刻機，尤其是極紫外光刻機領域，仍只有荷蘭的ASML公司能夠量產。

今年，中科院研製的22nm光刻機已通過驗收，但這一設備並不能用於製造高端晶片。

中國離掌握晶片製造中的關鍵設備仍有一定距離。

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