東芝為微控制器和無線通信集成電路開發兩種新的工藝技術

東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，該公司已基於使用小於當前主流技術功率的65納米邏輯工藝開發了快閃記憶體嵌入式工藝，以及基於130納米邏輯及模擬電源工藝開發了單柵非易失性存儲器(NVM)工藝。

將最佳工藝用於不同應用將使東芝能夠擴大其在微控制器、無線通信集成電路(IC)、電機控制驅動器和電源IC等領域的產品陣容。

130納米非易失性存儲器和65納米快閃記憶體的樣品出貨計劃分別於2015年第四季度和2016年第二季度啟動。

目前，物聯網(IoT)市場在部分領域對低功耗有著強勁的需求，包括可穿戴和醫療保健相關的設備。

作為回應，東芝採用了SST^[2]的第三代SuperFlash^®電池技術，以及其自有的65納米邏輯工藝技術。

該公司還擁有微調電路和製造工藝，用於開發其超低功耗快閃記憶體嵌入式邏輯工藝。

採用這種工藝的微控制器面向消費和工業應用推出，可將功耗降低至當前主流技術的約60%。

繼首個系列的微控制器之後，東芝計劃於2016財年推出短距離無線技術——藍牙低功耗(BLE)產品——的樣品。

該公司還計劃將65納米工藝應用於其無線通信IC產品系列，包括近場通信(NFC)控制器和非接觸式卡。

這些無線通信IC產品系列可優化利用低功耗特徵。

除了具備低功耗優勢外，該加工技術還有助於縮短開發時間，因為開發過程中應用軟體能夠輕鬆寫入和重新寫入快閃記憶體。

通過對提供超低功耗的設備進行工程改造，以進一步促進專門的快閃記憶體外圍電路技術及邏輯和模擬電路技術的開發，東芝將滿足市場對低功耗應用持續增長的需求。

該公司致力於以50μA/MHz操作為目標降低整個系統的功耗，以及面向物聯網開發創新產品。

在關心成本是否顯著降低的應用方面，東芝已開發了一種NVM嵌入式工藝，這種工藝將YMC^[3]的單柵多次編程(MTP)電池應用於東芝的130納米邏輯工藝技術中。

採用針對寫入時間的MTP規格可改善新工藝的性能，同時將掩膜圖案光刻中增加的步數限制在三步或更少，甚至為零。

NVM和模擬電路嵌在單一晶片上，可將多晶片系統通常執行的多個功能整合。

此舉可減少終端數量，以及實現更小型化封裝。

通過利用MTP來調整輸出精度，東芝將擴大其在高精度至關重要的領域的產品陣容，例如電源管理IC。

注釋：

[1] NVM：非易失性存儲器。

[2] SST：美國超捷半導體。

美國微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的全資子公司。

[3] YMC Inc.：億而得微電子公司。

一家台灣的IP開發公司。

* SuperFlash^®是美國微芯科技公司在美國及其他國家的註冊商標。

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