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領先友商一代！Intel公布10nm製程，A75狂飆3.3GHz

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【PConline 資訊】隨著Exynos 8895、驍龍835移動平台的商用，三星、台積電等半導體巨頭爭相進入10nm世代。

新製程帶來更強的性能、更高的能效，那麼老大哥Intel又有什麼大動作呢？

閉關修煉的Intel終於打磨好10nm晶片工藝。

9月19日，Intel在北京舉辦「精尖製造日」活動，首次亮相基於10nm節點的「Cannon Lake」晶圓，新製程功耗和性能的細節也正式向外界披露。

▍領先友商10nn製程整整一代

Intel 10nm製程採用第三代FinFET技術，通過超微縮技術實現業內最高的電晶體密度：

· 最小柵極間距從70nm縮小至54nm，

· 最小金屬間距從52nm縮小至36nm，

· 邏輯電晶體密度可達到每平方毫米1.008億個電晶體，達到之前Intel 14nm製程的2.7倍，大約是業界其他10nm製程的2倍。

相比之前的14nm製程，Intel 10nm製程可實現多達25%的性能提升和45%的功耗降低。

全新增強版的10nm製程——10++，可將性能再提升15%並將功耗再降低30%。

▍A75核心主頻超過3GHz

去年8月Intel晶圓代工宣布與Arm達成協議，雙方將加速基於10納米製程的Arm系統晶片開發和應用。

Intel在精尖製造日上全球首次展示了Cortex-A75 CPU內核的10nm測試晶片晶圓。

· 採用行業標準設計流程，可實現3.3GHz的性能：

· 在12周內從RTL至首次Tape Out，

· 功耗250uW/MHz。

Intel 10nn製程計劃於2017年底投產，2018年上半年實現量產，老哥穩。

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