國際巨頭斷供!光刻機國產替代刻不容緩

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有報導稱,荷蘭光刻機巨頭ASML將暫時中止為「中國客戶」供應「極紫外光(EUV)微影設備」。

中芯國際回應稱:極紫外光(EUV)還在紙面工作階段,未進行相關活動。

ASML稱,出口EUV到中國需取得荷蘭政府的出口許可(export license)。

該出口許可於今年到期,ASML已經於到期前重新進行申請,目前正在等待荷蘭政府核准。

多位ASML供應商關係人士指出,ASML是為了避免因供應最先進的設備給中國,擔心刺激到美國,因此決定暫時中止交貨。

但中國市場占ASML營收比重約兩成,僅次於南韓的35%,因此,消息人士指出ASML並不是完全取消上述供貨計劃。

有分析人士認為,能否擁有ASML的EUV光刻機,將直接關係到中芯國際是否擁有先進的製程工藝以及量產能力。

光刻機是半導體製造設備中價格占比最大,也是技術含量最高最核心的設備,涉及精密光學、精密運動、高精度環境控制等多項先進技術,其設備投入相應最多,被譽為是半導體產業皇冠上的明珠,每顆晶片誕生之初,都要經過光刻技術的鍛造。

光刻直接決定了半導體線路的精度,以及晶片功耗與性能。

晶片在生產過程中需要進行20-30次的光刻,耗時占到製造環節的50%左右,占晶片生產成本的1/3。

荷蘭公司阿斯麥(ASML.O)是全球最大的半導體光刻機設備及服務提供商,在細分領域具備壟斷地位,在高端光刻機市場占據75%以上份額。

目前世界上最先進的ASMLEUV光刻機單價達到近一億歐元。

ASML總部位於荷蘭,向全球複雜集成電路生產企業提供領先的綜合性關鍵設備。

占據超過75%的高端光刻機市場,且最新的產品EUV光刻機售價高達1億美元,依舊供不應求。

它為亞洲,歐洲和美國的半導體生產商提供提供光刻機及相關服務。

它還為客戶提供一系列的支持服務,包括先進的工藝和產品應用知識,並以二十四小時服務支持。

2006年,ASML交付第一台光刻機;2007年成功推出第一台浸沒式光刻機TWINSCANXT:1990i,採用折射率達到1.44的去離子水做為媒介,實現了45nm的製程工藝,並一舉壟斷市場。

當時的另兩大光刻巨頭尼康、佳能主推的157nm光源乾式光刻機被市場拋棄。

緊隨其後的是Nikon和Canon。

光刻機研發成本巨大,Intel、台積電、三星都主動出資入股ASML支持研發,並有技術人員駐廠;格羅方德、聯電及中芯國際等的光刻機主要也是來自ASML;

國內光刻機廠商有上海微電子、中電科集團四十五研究所、合肥芯碩半導體等。

在這幾家公司中,處於技術領先的是上海微電子,其已量產的光刻機中性能最好的是90nm光刻機。

由於技術難度巨大,短期內還是處於相對劣勢的地位。

從光刻機結構來看,它由光源、光學鏡片和對準系統等部件組成,其工藝中十分關鍵的兩個元素是光刻膠和掩膜版。

而光刻處理後的晶圓片再經刻蝕和沉積等過程製成晶片成品,用於電腦、手機等各種設備之中。

下游旺盛的終端市場需求決定了光刻設備必然也面臨巨大的需求。

目前光刻系統市場供給遠遠不足需求,很重要的原因在於上游原材料/部件精度不符要求,譬如上文總結出的EUV面臨的五大問題(光源功率、掩膜版、光刻膠、鏡頭等)都是上游技術難關。

除了來自蔡司的鏡頭的供應不足之外,還有設備上的晶片保護膜仍需要改進。

此外,光刻作用基礎矽片/矽基材純度要求極高,通常11個9(即99.999999999%)的級別以上。

光刻設備廠商的下遊客戶主要在於存儲和邏輯晶片製造商。

未來下游內存市場需求將繼續保持強勁,存儲晶片尤其是DRAM價格仍然持續增長。

目前國內光刻機設備廠較少,大多以雷射成像技術為主,與國外差距較大。

光刻機是重要的卡脖子領域,國產化迫在眉睫。

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