文章標籤：我國半導體製造逐步形成產業鏈ASML甩賣

我國的半導體製造，已逐步形成產業鏈，ASML或要大甩賣？

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我們都知道，半導體製造是全球產業鏈的中端部分，但其設備工藝的精密和複雜程度，卻一點也不亞於半導體集成電路設計的複雜程度。

全世界目前主要的半導體製造設備的供應商都在國外，其中最核心的光刻機ASML提供的光刻機，她占據著全球絕對的主導地位。

在ASML的帶領下，在各個晶片製造商的配合下，晶片製造的最小特徵尺寸從1990年的500nm推進至2016年10nm，台積電和三星都宣稱2018年要量產7nm產品。

這樣的高精尖技術，西方已開發國家對我們國家自然也是採用了封鎖和壟斷的策略，但有一點卻很詭異，那就是當我國研製出類似的產品以後，他們就馬上採取傾銷的策略，力圖把我國的半導體製造扼殺在搖籃之中。

其實除了ASML，原來日本也是有很多半導體製造設備的提供商的，比如Hitachi、GCA、SVG、Ultratch、ASET、Perkin-Elmer、Eaton、Zeiss等，但現在，有的已經退出光刻機市場，有的被收購，有的轉戰先進封裝用光刻機市場。

目前，球半導體前道用光刻機的生產廠商有4家，分別是ASML、Nikon、Canon和上海微電子（SMEE），其中尤其以ASML為佳，一家獨占7成的市場。

這裡特別要點名的是上海微電子（SMEE），上海微電子裝備（集團）股份有限公司(SMEE)是國內技術最領先的光刻機研製生產單位，目前已量產200-600系列光刻機，其中性能最好的達到了90nm。

另外，2017年6月21日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所牽頭研發的「極紫外光刻關鍵技術」通過驗收。

突破了制約我國極紫外光刻發展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統集成測試等核心單元技術，成功研製了波像差優於0.75nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統，構建了EUV光刻曝光裝置，國內首次獲得EUV投影光刻32nm線寬的光刻膠曝光圖形，建立了較為完善的曝光光學系統關鍵技術研發平台。

怎麼樣，我國經過多年的發展，現在的晶片製造技術也已經達到了納米的級別，可以想像，不用多久，國外的同類設備就會對我國甩賣了，感謝科研工作者。

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