設備受限 台積電預計EUV應用於5nm製程
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【PCgames 遊戲硬體資訊】在一段相當長的時間裡面，台積電一直致力於討論使用EUV極紫外光刻技術應用於10nm製程的晶片製作上，但由於對應的掃描光刻設備的準備不足，至少在一兩年期間內將無法利用EUV技術應用到實際的晶片製造之中，所以台積電目前打算將EUV的應用是現在未來4到5年之後的5nm製程上。
超紫外線光刻技術的掃描光刻設備配備了帶為13.5nm波長的雷射，在基板進行「畫」晶片的過程中擁有非常精細的特點，能解決目前正在使用的光刻工具許多具備挑戰性的技術難關，特別是EUV能進行多模式刻畫能減少時間周期，有助於提升工藝製作的晶片產量。
光刻系統供應商荷蘭ASML正在與台積電和其他 晶片製造商準備全新的EUV掃描光刻設備，而台積電計劃在2017~2018年試驗應用在7nm製造工藝上，讓後再在商用於5nm製造工藝。
目前台積電預計開始批量生產的晶片使用7 nm製程技術會在2018年上半年。
公司考慮如何積極打算引進新的製造工藝,EUV的應用可能在2018-2019開始試生產使用在5nm製程晶片。
編輯點評：我們在處理器上面，晶片上面看到不斷的有更為先進的製程技術的湧現，由以前的幾十納米製程的晶片發展到現在越來越精細的10納米製程，每一次的技術進步都是標誌著製造設備的又一次飛躍發展，而目前可預見的是，在未來五年內電腦晶片的性能將會受益於工藝製程的進步而具備更大的性能發掘空間。
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