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老邢點評｜迎接嵌入式存儲器轉型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發

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點評：迎接嵌入式存儲器轉型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發

■ 磁變存儲器（MRAM）自1990年代開始發展，這項技術在理論上的存取速度接近SRAM，具快閃記憶體的非揮發性特性，在容量密度及使用壽命上也不輸給DRAM，平均能耗遠低於DRAM，未來極具成為真正通用型存儲器潛力。

■ 全球半導體巨擘正在下一代新型存儲器市場展開強力競爭，這很可能全面改變半導體市場的發展前景，並成為未來半導體代工的主要業務之一。

GlobalFoundries、三星(Samsung)、台積電(TSMC)和聯電(UMC) 計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的遊戲規則。

■ 雖然磁變存儲器（MRAM）在先前的技術節點展現了非揮發性、高可靠性以及可製造性，磁變存儲器在長期看來會是較受歡迎的技術。

但在微縮至2x nm節點以及相容嵌入式存儲器的後段製程(BEOL)溫度時開始面臨挑戰。

■ 我國在傳統存儲器布局落後很多，但在下一代技術存儲器早已戰略布局。

幾年前更有二十幾位中科院院士聯名支持發展MRAM。

我國科研力量在未來存儲器的產業技術競爭會扮演相當重要的角色。

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