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下一代存儲器eMRAM蓄勢待發｜老邢點評

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點評：下一代存儲器eMRAM蓄勢待發

1．存儲器占整個半導體市場規模超20%，地位十分重要。

由於標準型內存 DRAM、NAND Flash 等微縮工藝已逼近極限，許多半導體巨頭如三星電子、英特爾、台積電等都在大舉發展下一代新型存儲器。

2．下一代新型存儲器除了eMRAM以外，還有相變存儲器（PCM）、嵌入式電阻RAM（eRRAM）、碳納米管（CNT）和鐵電場效電晶體（FeFET）等。

其中eMRAM 速度最快，應用前景也被看好，但由於採用了大量的新材料、新結構，量產難度極大。

3．eMRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器，它的關鍵性優勢在於結合了非易失性與無限使用壽命。

相比目前的DRAM或者SRAM，包括它的高可製造性、高數據密度、高速度、非易失性和耐久性等，優勢還是非常明顯的。

4．全球半導體巨擘正在下一代新型存儲器市場展開強力競爭，這很可能全面改變半導體市場的發展前景，並成為未來半導體代工的主要業務之一。

目前三星電子正大力發展eMRAM記憶體，三星的28nm FD-SOI（Fully Depleted Silicon on Insulator）製程有eMRAM 的選項，其中eMRAM的風險生產為2018年；而18nm的FD-SOI製程的風險生產將始於2020年，也有eMRAM的選項。

歐洲最大半導體廠商-恩智浦半導體已經決定採用三星電子的eMRAM記憶體，以應用在相關的物聯網裝置之上。

台積電發布在2018年下半年於28nm製程中生產eMRAM。

而GlobalFoundries也發布，計劃在2017年於22nm FD-SOI製程上提供eMRAM，2018年進入量產。

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