三星70億美元擴產西安NAND快閃記憶體 3月底動工

消息稱，三星計劃於3月底開始擴建生產設備，屆時三星半導體業務負責人金奇南(Kim Ki-nam)將與陝西省官員共同出席動工儀式。

據知情人士稱，三星計劃在未來三年內為該擴建項目投資約70億美元(約合人民幣442億元)。

2012年4月，西安高新區成功引進三星電子存儲晶片項目，其一期項目總投資達100億美元，該項目成為三星海外投資歷史上投資規模最大的項目，項目於2014年5月竣工投產。

三星西安工廠

2017年8月29日，三星電子曾宣布在未來3年投資70億美元，擴大其在中國西安工廠的NAND Flash存儲晶片產能，並於2017年8月30日正式簽約落戶高新區。

但隨後據韓國媒體Electronic Times報導，因韓國政府擔心流失半導體與面板技術優勢，擬下令禁止韓國半導體與面板廠在中國投資新廠，規定三星、SK海力士等記憶體廠，未來只有在緊急的特殊情況下申請豁免，否則不能在中國設新廠。

如今看來，三星或已獲得韓國政府的同意，再次啟動西安工廠擴產項目。

此外，三星還批准了一項初步投資計劃，已於2月在首爾以南的平澤市建立第二家晶片生產線。

據悉，平澤市的第一家晶片生產工廠已於2017年7月開始生產晶片。

韓國媒體ETnews報導指出，三星已奪得恩智浦（NXP），以及韓國無廠半導體公司Telechips的晶圓代工訂單，有助於在明年第二季7納米LPP極紫外光（EUV）製程量產前，填補一線客戶高通跑單的缺口。

根據來自產業的消息，恩智浦將採用三星14納米製程生產嵌入式處理器，預計今年底開始量產。

除此之外，Telechips的車用資訊娛樂系統處理器Dolphin+與電視機頂盒晶片，今年內也都將交由三星14納米量產。