科創板最硬核公司！攜手台積電打造最牛晶片生產線，估值百億，值不值得買？

儘管中國在集成電路技術距離世界領先還有很大距離，但經過近些年來不斷地奮起直追，部分公司在單一領域已經取得明顯突破。

比如，刻蝕設備領域。

在刻蝕設備領域取得突破的公司，就是鼎鼎大名的中微半導體。

從2004年開始研發相關產品以來，中微半導體目前的刻蝕機已經涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7納米到5納米關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。

其刻蝕機的工藝水平已達世界先進水平。

2017年7月，台積電宣布，中微半導體被納入其7nm工藝設備商採購名單。

去年12月，中微半導體自主研製的5納米等離子體刻蝕機正式通過台積電驗證，將用於全球首條5納米製程生產線。

目前，高端刻蝕機僅美國上市公司應用材料、東京電子和中微半導體等少數幾家 能通過台積電5nm驗證的更少。

這是國內半導體廠商第一次參與世界最先進的晶片研發生產行列。

隨著這幾年來出貨量增長，公司業績表現不錯。

2018年中微半導體的營業收入為16.39億，凈利潤0.91億。

昨日，上交所正式受理了中微半導體的上市申請。

這應該是目前申報科創板上市的企業中，最硬核的公司。

/ 01 /

刻蝕設備工藝已不輸國際先進水平

中微半導體主要產品為MOCVD設備和刻蝕設備，其中最有前景的產品無疑是刻蝕設備。

晶片的「地基」晶圓在製造中有七大類關鍵工藝：光刻，刻蝕，摻雜，薄膜生長，熱處理，拋光和清洗等工藝。

需要用到光刻機，刻蝕機，CVD，PVD，CMP拋光機，濕/干法清洗設備，氧化擴散爐，離子注入機，等其中，最核心是光刻、刻蝕，薄膜生長三道工藝。

刻蝕機用來按光刻機刻出的電路結構，在矽片上進行微觀雕刻，刻出溝槽或接觸孔的設備。

其對加工精度的要求非常高。

「我們的等離子刻蝕機在晶片上的加工工藝，相當於可以在米粒上刻10億個字的水平。

」中微半導體創始人尹志堯曾如是表示。

刻蝕設備是晶圓製造中最重要設備之一。

根據 SEMI 統計，2017 年按全球晶圓製造設備銷售金額占比類推，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別占晶圓製造設備價值量約24%、23%和18%。

刻蝕設備市場規模巨大。

根據VLSI Research統計，2018年全球半導體設備系統及服務銷售額為811億美元。

2018年半導體設備在中國大陸的銷售額估計為128億美元，同比增長56%，約占全球半導體設備市場的21%，得力於國內大規模的投資建設晶圓工廠，中國大陸已成為僅次於韓國的全球第二大半導體設備需求市場。

但由於國外巨頭起步較早，憑藉資金、技術、客戶資源、品牌等方面的優勢，前五大半導體設備製造廠商占據了全球半導體設備市場 65%的市場份額。

國內半導體設備同樣依賴進口，根據中國電子專用設備工業協會的統計數據，2018 年國產半導體設備銷售額預計為109億元，自給率約為13%，大多數集中在6英寸、8英寸產線進入12英寸高端產線的核心設備更是寥寥無幾。

目前國內生廠商刻蝕設備主要是2家，一家是北方華創，另一家就是中微半導體。

在刻蝕機領域，按照需要刻蝕的材料來分主要有三種類型的刻蝕機：金屬刻蝕機，矽刻蝕機和介質刻蝕機，三種設備並不通用。

其中矽刻蝕和金屬刻蝕相對容易，而介質刻蝕則是最難的工藝，因此介質刻蝕機也是最難做的刻蝕設備。

北方華創主要側重於金屬刻蝕機，矽刻蝕機，中微半導體側重於介質刻蝕機。

中微半導體從2004年開始研發電容性等離子體刻蝕設備（CCP），主要做介質刻蝕。

目前已經擁有5款產品，涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7納米到5納米關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。

20nm工藝後，平面的CMOS工藝已經走到極限，集成電路電晶體技術開始進入3D結構，16/14的FinFET ,以及3D NAND FLASH等立體結構的各種晶片不斷出現，這對製造環節提出極高的要求。

20nm以下的絕緣層已經非常薄，多層的NAND 晶片，只要有任何一層在工藝中出錯，則導致整片晶圓爆發，因此對介質刻蝕提出了近乎苛刻的要求。

中微半導體從2012年開始開發電感性等離子體刻蝕設備（ICP），主要用於刻蝕單晶矽、多晶矽等材料，主要用於封測廠。

到目前為止已成功開發出單反應台的 Primo nanova刻蝕設備。

ICP較CCP技術要求更高，目前雙反應台ICP刻蝕設備正在研發中。

公司的ICP刻蝕設備主要是涵蓋14納米、7納米，5nm技術在和台積電研發階段。

根據招股書顯示，中微半導體的設備基本上都已經達到國際先進水平。

但不可否認，和國際大公司極強的財力和人力，長時間的技術積累帶來的產品穩定性和名聲，國內公司突圍需要時間。

但依靠性價比優勢，中微半導體正逐漸進入國內外巨頭的視線。

2017年7月，台積電宣布中微半導體納入其7nm工藝設備商採購名單，這是中國蝕刻機廠商第一次出現在台積電供應商採購名單中。

去年12月，中微半導體自主研製的5納米等離子體刻蝕機正式通過台積電驗證，將用於全球首條5納米製程生產線。

目前，通過全球高端刻蝕機玩家僅剩下美國公司應用材料（Lam Research）東京電子和中微半導體，而通過台積電5nm工藝認證的則更少。

近期，國內兩家國內知名存儲晶片製造企業採購中微半導體的產品。

中微半導體在企業A中的採購份額占比已達15%，在企業B中的份額已經達到17%。

截至 2018 年末，中微半導體的產品已經累計服務國內外40餘條先進晶片生產線。

2018年，中微半導體的營業收入16.39億，凈利潤0.91億。

「半導體是一個周期性行業，從行業發展來判斷，近三年是一個低潮期。

低潮期晶圓工廠的投資肯定會縮水，因此中微的業績會不太好看，但熬過這幾年一旦進入景氣周期，巨頭投入巨資開始新建晶圓工廠的時候，中微的業績則會迅速爆發。

目前一台刻蝕機的售價在300-400萬美金左右。

差不多新建一條12英寸晶圓工廠工廠，各類型刻蝕機差不多要採購100台到200台，對應20k-30k的月產能，如果產能更多，則需求量更大，因此一條線基本就有幾十億的刻蝕機設備採購需求，中微拿個幾十台訂單，這就10億以上的銷售額了，外加中微針對化合物半導體的MOCVD，兩者在景氣周期營收應該相當可觀。

」品利基金半導體投資經理陳啟對讀懂君表示。

/ 02 /

打破國外壟斷！一年賣106台MOCVD設備

除了刻蝕機外，中微半導體在LED晶片的MOCVD機台上也取得了突破。

LED產業鏈主要分為襯底加工、LED外延片生產、晶片製造和器件封裝四個領域。

其中，外延片的生產是半導體照明產業技術含量最高、對最終產品品質、成本控制影響最大的環節。

關於外延片，通俗點的解釋是，把晶圓原材料進行加工，形成的半成品。

後續外延片經過多道工序加工後成為晶片。

舉個例子，晶圓好比土地，晶片好比裝修好的新房，外延就是土地上蓋的毛坯房。

而MOCVD設備就是用來製造外延片的。

與集成電路需要在多種核心設備間循環的製造工藝不同，外延片的生產主要是通過MOCVD單種設備實現。

因此，作為LED製造中最重要的設備，下游LED晶片廠商對MOCVD設備採購金額一般占LED生產線總投入的一半以上。

MOCVD設備的數量，成為衡量LED製造商產能的直觀指標。

為了吸引投資，各地政府更是直接對企業採購MOCVD進行補貼。

2009年，揚州率先出台MOCVD補貼政策，設立25億元的資金，根據型號不同企業購置MOCVD設備每台至少補貼800萬元，最多1000萬元。

各地政府紛紛效仿，一場MOCVD補貼大戰就此拉開。

過去，全球的MOCVD市場基本被維易科和愛思強壟斷，肥水都流了外人田。

隨著國內越來越多的企業涉足MOCVD設備，情況發生了明顯改變。

其中，中微半導體更是國產MOCVD設備企業中的佼佼者。

招股書顯示，2018年中微半導體在MOCVD設備上的銷量為106台，較去年同期增長85.96%。

同期，銷售MOCVD設備的收入在8.32億，占其總收入的50.76%。

在刻蝕設備尚未發力的階段，MOCVD設備銷售成為公司的主要收入來源。

106台是什麼概念？根據高工LED數據顯示，過去兩年，整個中國市場每年年預計新增的MOCVD為大約250台，按照中微半導體今年106台的出貨量，國內市場占有率可以達到40%以上，這是非常不錯的成績。

截至2016年，LED晶片國產率提升至76%，達到了106億元，進口僅為33億元。

徹底改變了以往LED晶片100%進口的尷尬局面。

要知道，三安光電在2016年前購買的MOCVD，基本不是維易科的，就是愛思強的。

更重要的是，隨著國內LED晶片產業的高速發展，全球LED晶片產能逐漸向中國大陸轉移，帶來三安光電，華燦光電等一批LED晶片廠商脫穎而出，逐鹿全球市場。

數據顯示，中國LED晶片占全球比重已經由2013年的27.00%提升至2017年的37.10%。

其中，作為中國LED晶片的龍頭企業三安光電，更是喊出2018年全球市占率提升到22%的目標，可謂野心勃勃。

關鍵技術突破和產能轉移，進一步帶來MOCVD設備需求的增加。

根據LED inside統計，中國已經成為全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量占全球比例已超40%。

儘管，維易科和愛思強仍然在全球MOCVD市場占有份額優勢，但其地位已經明顯不如以往那般穩固。

其中，最先掉隊的是愛思強。

2015年，由於愛思強產品的技術不能滿足三安光電的需求，導致其喪失了三安光電這一全球最大客戶。

2016年，一度還被傳出要被中國資本收購，後來遭到歐巴馬的親自否決。

而過去幾年，維易科也在與中微半導體的各種專利官司上屢屢敗訴。

長期來看，由於中國已經逐漸掌握了LED生產各個環節的技術，在晶片，封裝等領域均誕生了像中微半導體這樣具備極強競爭力的龍頭企業。

LED產業向中國轉移幾乎是不可逆轉的趨勢。

這麼看來，VEECO走向衰落也是大勢所趨，中微半導體有望在這個領域取得更好的成績。

不過，受限於市場規模和市場飽和度，中微半導體在MOCVD設備上的表現，或許遠沒有蝕刻機來的亮眼。

/ 03 /

集中力量辦大事！發展集成電路，需要科創板

算上中微半導體，上交所已經受理了6家業務涉及集成電路的公司。

按目前受理的28家來算，占比達21%。

集成電路，也成為目前上交所受理公司最多的行業。

這6家公司分別是中微半導體、安集微電子、晶晨半導體、和艦晶片、睿創微納和華興創源。

其中不乏一些國內半導體細分領域處於領先的企業。

除了本文提到的中微半導體外，安集微電子在CMP研磨液領域也成功打破了外國壟斷。

此外，瀾起科技、復旦微電子和晶豐明源等集成電路產業鏈公司也相繼申請科創板上市。

與之相對應的是，不久前，上交所公布科技創新諮詢委員會候選人名單，其中集成電路領域的專家多達9位，占比近20%，僅次於生物醫療領域。

毫不誇張的說，在未來相當長的時間裡，集成電路將會是科創板最大的主題之一。

其背後的邏輯在於，設立科創板，除了完善我國的資本市場體系外，還有一個極其的重要任務——幫助中國在核心領域取得突破，徹底完成經濟上的產業升級。

在中國經濟轉型升級的路上，集成電路工業是最核心的陣地。

過去十年，中國在下游製造業和自主品牌上發展迅速。

所以你能看到，越來越多的產業向國內轉移，比如上文提到LED產業；越來越多的電子零部件廠商取得技術上的突破，比如京東方；越來越多的中國品牌開始在搶占世界市場的份額，比如華為、小米。

令人遺憾的是，在最為核心的集成電路工業上，中國始終沒有取得實質性突破。

2018年，我國集成電路行業實現銷售收入2519.3億，但其中自給率僅為15.35%。

也就是說，85%——超過2000億元的晶片要依賴於進口。

根據WSTS統計數據，2017年全球半導體銷售額已達4122億美元，較1987年增長50倍，年複合增速達15%。

換言之，這是一個萬億級的市場，且隨著信息化程度的提高，市場規模有望持續增加。

集成電路又是一個將叢林法則演繹到了極致的行業——勝者為王。

在細分領域內，一位贏家甚至可以拿走整個行業的利潤，這是在其他行業不曾看到的。

以核心設備光刻機為例，荷蘭ASML已經占據了大約80%的市場份額，其中最先進的EUV光刻機單台售價超過1億美元。

2018年，ASML收入109億歐元，凈利潤26億歐元。

而我們的目標，就要在這個超級產業完成逆襲。

未來相當長時間內，我們都要做好戰鬥的準備。

如果我們成功，中國就是真正的超級大國。

如果這兩個領域我們失敗了，中華民族復興就不能稱之為成功。

與其他國家從單一領域突破不同，中國的做法是將人力財力覆蓋整個產業鏈。

這是中國PK歐美日整個製造業集團。

這樣的消耗是極其巨大的。

因此除了國家的支持，更少不了資本市場的幫助。

與其說集成電路需要科創板，不如說中國需要科創板。

試想一下，在科創板的幫助下，再用一二十年時間，中國能掌握從最上游的集成電路設備，到集成電路製造，到集成電路設計、封測，到中游的零部件，到下游的消費電子終端的設計、研發、品牌，以及在終端運行的各種軟體應用，我國毫無疑問就是頂端國家了。

而這一切，至少從現在往未來看，已經隱約看得見了。