IntelIntel：從90nm到10nm 一個能打的都沒有！
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Intel今天在中國舉辦「精尖製造日」活動，對這些年的製程創新、摩爾定律以及即將推出的10nm Cannon Lake晶片做了講解。
其實，相關PPT早已在國外展示，這次主要是翻譯給國內的客戶、媒體、消費者查閱。
亮點是特爾公司執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith，全球首次展示了10nm晶圓，它打造的就是Cannon Lake晶片。
Intel表示，這一代10nm FinFET擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距，實現了業內最高的電晶體密度（每平方毫米電晶體數量超過1億個），領先其他10nm整整一代。
按計劃，10nm Cannon Lake定於今年Q4率先登陸移動陣營，可能是Core m或者U系列低壓產品，不過，它們仍舊隸屬於8代酷睿。
其實，Intel對於製程的命名是業界最保守也是最權威的，不過三星、台積電等並不買帳或者說不老實，隨隨便便就自詡10nm/14nm，這也讓Intel很不滿。
在會上，Intel再次翻出PPT稱，從90nm開始到14nm，他們基本保持對行業的3年領先，換言之，Intel的14nm就是現在三星的10nm。
Intel的半導體工藝是不是依然領先？
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