Intel的半導體工藝是不是依然領先?

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Intel在中國舉辦「精尖製造日」活動,對這些年的製程創新、摩爾定律以及即將推出的10nm Cannon Lake晶片做了講解。

Intel公司執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith,全球首次展示了10nm晶圓,它打造的就是Cannon Lake晶片。

Intel表示,這一代10nm FinFET擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距,實現了業內最高的電晶體密度(每平方毫米電晶體數量超過1億個),領先其他10nm整整一代。

按計劃,10nm Cannon Lake定於今年Q4率先登陸移動陣營,可能是Core m或者U系列低壓產品,不過,它們仍舊隸屬於8代酷睿。

其實,Intel對於製程的命名是業界最保守也是最權威的,不過三星、台積電等並不買帳或者說不老實,隨隨便便就自詡10nm/14nm,這也讓Intel很不滿。

在會上,Intel再次翻出PPT稱,從90nm開始到14nm,他們基本保持對行業的3年領先,換言之,Intel的14nm就是現在三星的10nm。


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