韓媒:三星GAA工藝成大殺器,台積電已是手下敗將

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集微網消息,據businesskorea報導,代工諮詢公司IBS 5月15日宣布,三星電子在 GAA技術方面領先台積電(TSMC)一年,領先英特爾(Intel)兩到三年。

GAA技術是下一代非存儲半導體製造技術,被視為代工行業的突破者。

三星已被評估在FinFET工藝方面領先於全球最大的代工企業台積電。

FinFET工藝目前是主流的非存儲半導體製造工藝。

這意味著三星在當前和下一代代工技術上都領先於競爭對手。

三星於當地時間5月14日在美國Santa Clara舉行的2019年三星代工論壇上宣布,將於明年完成GAA工藝開發,並於2021年開始批量生產。

GAA工藝有望改變代工行業的格局。

目前,代工行業的競爭是基於半導體的小型化。

然而,縮小半導體的尺寸是有限制的。

因此,GAA技術改變了半導體的結構,使其更強大。

所有的晶片製造商現在都致力於鞏固這項技術。

「自10納米晶片時代開始,FinFET工藝已成為代工行業的主流技術。

但FinFET工藝在半導體小型化方面有其局限性。

GAA旨在克服這一限制,」 一位業內人士表示。

「GAA技術可能成為三星電子的秘密武器,該公司的目標是在2030年在非存儲領域占據首位。

另一位分析師表示:「三星已經從7納米產品時代超越了台積電,並完成了5納米FinFET工藝的開發。

由於三星在GAA技術上領先於競爭對手,它將能夠在未來的競爭中領先,儘管目前在市場份額上落後於台積電。

去年,三星電子宣布將把GAA技術應用於其3納米工藝。

在加速技術發展的同時,公司還積極宣傳其新技術。

三星電子正在充分利用2019年三星代工論壇,以推動其技術進步。

此次論壇上,三星向高通、蘋果等非晶圓廠客戶分發了一套3nm GAA工藝設計工具包。

工藝設計工具包是一個數據文件,幫助無晶圓廠公司設計晶片優化。

這使得無晶圓廠的公司可以很容易地設計他們的產品,並實現更短的上市時間。

尤其值得一提的是,與7納米FinFET工藝相比,三星的GAA工藝可以將晶片尺寸和功耗分別降低45%和50%。

(校對/木棉)


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