其中，Global Foundries是AMD 在2009年拆分了製造部門並重新成立的。

早在2014年，IBM 就將整個半導體部門出售給Global Foundries。

而目前，最先進的半導體製造廠商已經只剩下台積電、Intel、三星和Global Foundries四家。

在這四家廠商中，GF的技術實力最為薄弱，因為它無論是產量還是生產工藝都落後於其他三家。

據了解，三星目前能夠提供最先進的10nm晶片代工，其中既包括驍龍835，也包括Exynos 8895。

值得注意的是，在公開資料的製程工藝進展中，Global Foundries和台積電的7nm進展最為迅速。

但是也有其他消息稱，高通已經把驍龍845的代工轉交給了台積電生產。

這對三星來說無疑是一個爆炸性的新聞！

顯而易見的是，三星在晶片的研發道路上是有明顯的進步的。

從19年首先實驗8nm工藝到7nm工藝的生產，三星邁著穩健的步伐。

而至於6nm、5nm工藝，目前的三星還沒有能力能夠生產出來，只是停留在研發的階段。

目前，晶片市場上流行著一種令人不可思議的說法，那便是7nm已經是目前工藝的極限。

這種說法沒有準確的市場依據，但還是具有一定道理的，畢竟7nm的晶片含有極高的科技含量。

簡單來說，主要原因是隨著電晶體尺寸的縮小，在一定尺寸範圍內，量子的隧穿效應開始起到更為強勁的作用。

也就是電子會有幾率從「牆壁」的一側突然出現在「牆壁」另一側，意味著不加電壓，源級和漏級是互通的，電晶體失去了開關作用，其實跟漏電差不多。

而在7nm這樣小的尺寸下，受「量子力學」的影響越來越大，已經到達了一定的極限程度。

雖然7nm的晶片擁有極高的科技難度，但顯然還沒有到科技研發的極限。

因為早在10年前，就已經有人覺得65nm已經是極限了。

科技是在不斷地進步與更新的，10年前的這個問題最終還是憑藉著科技的力量完美地解決了。

人們利用high-k介質取代了二氧化矽，傳統的多晶矽-二氧化矽-單晶矽結構變成了金屬-highK-單晶矽結構，從而解決了二氧化矽絕緣層的漏電問題。

其實，在22nm階段時也遇到漏電問題，但又研發出了finfet和FD-SOI來解決。

如今到了7nm 這個轉折點，即使是利用finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。

所以研究者們用砷化銦鎵取代了單晶矽溝道來提高器件性能。

其實，每個看似解決不了的問題都是進步的轉折點，只要我們擁有足夠多的技術，這些問題都能夠迎刃而解！

而未來將要生產的6、5nm想必也是晶片研究界的大難題，或許又會被視為不可逾越的科技鴻溝。

為能夠繼續解決這個難題相關研究者們目前正在考慮換一種新的材料來取代矽。

這種新材料很有可能是III-V族氧化物半導體，因為這種材料可以有更大的能隙和更高的電子遷移率，以致能夠在更高的頻率下承受更高的溫度。

當然，這項科技目前還處於研發階段，但已經取得了初步性的進展。

希望三星能夠突破重圍，研究出更具科技含量的晶片產品！

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