SEMI下修全球晶圓廠設備預測投資金額 存儲器與大陸為兩大變量

芯科技消息（文／雷明正）根據 SEMI（國際半導體產業協會）最新公布「全球晶圓廠預測報告」（World Fab Forecast Report），2018 與 2019 年全球晶圓廠設備投資金額將下修，2018 年的投資金額將較 8 月時預測的 14% 增長下修至 10% 增長；2019 年的投資金額更將從原先預測的 7% 增長，下修至8% 衰退。

SEMI台灣區總裁曹世綸表示，存儲器價格下跌與中美貿易戰之下導致公司投資計劃改變，為晶圓廠資本投資快速下滑兩大主因。

報告指出，繼今年年初 NAND flash 價格急遽下滑後，DRAM 價格也在第四季鬆動，連兩年的 DRAM 盛世恐將結束。

存貨調整及 CPU 產量不足預測將導致更劇烈的價格滑動。

存儲器廠商快速反應市場情況，並減少資本支出，並暫緩所有已訂購設備出貨。

NAND flash 相關的投資甚至將出現2位數的衰退。

修正先前存儲器資本支出將成長 3% 的預測，2019 年整體記憶資本支出將下滑 19%，其中 DRAM的下滑最為劇烈，下滑幅度達 23%，3D NAND 則下滑 13%。

另外，2019 年大陸的晶圓廠設備投資金額從原先預測的 170 億美元下修至 120 億美元。

原因包括存儲器市場、中美貿易緊張關係、及建廠計劃延宕等，包括SK Hynix、GLOBALFOUNDRIES、聯電、中芯國際等半導體製造領導廠商皆暫緩在大陸的投資力道，福建晉華案也使DRAM的投資計劃暫停。

曹世綸分析，先進存儲器製造商、大陸晶圓廠、及 28 納米或以上成熟製程業者的資本支出縮減影響全球市場最劇。

該報告指出，2018 下半年及 2019 上半年晶圓設備銷售金額分別將下滑13％及 16％，直至 2019 下半年才有望出現轉圜。

近三年的半導體產業成長主因，曹世綸總結指出，其一為存儲器 (包含 DRAM及 3D NAND Flash)，其中單單三星一家公司前所未有的大手筆投資，更是造就整體半導體市場大躍進的主因，也使得其他存儲器業者連帶受惠。

另外，大陸的巨額投資也讓整體半導體市場預期自 1990 年代就未曾出現過的 4 年連續成長態勢。

然而，成也蕭何，敗也蕭何。

庫存調整及貿易戰威脅下，存儲器與大陸成為兩大反轉市場成長的主因，連續 4 年成長紀錄也將無法維持。

2019 年韓國的晶圓廠設備投資金額以 35% 的下滑幅度，從原先預測的 170 億美元大幅下修至 120 億美元。

三星減緩投資預期將從 2018 年第四季延續至201 9年上半年，其中受影響最劇的為P1及P2的第一階段，S3的時程也將受到影響。

雖然晶圓預測報告中指出大部分的存儲器廠皆計劃減少資本投資，但美光例外。

2019 年美光預期將投資約 105 億美元，相較於 2018 年的 82 億美元投資金額提高約 28%。

這筆投資主要計劃用於擴張及升級既有廠房設施，但針對NAND 的投資將較今年少。

原先在進入2018年時，全球半導體晶圓廠設備市場原先預測將延續罕見的 4 年連續成長直至 2019 年。

但其實早在今年 8 月時，SEMI 綜合收集分析全球超過 400 間晶圓廠主要投資計劃後，便預測 2018 下半年至 2019 上半年晶圓廠投資金額將呈下滑態勢。

有鑒於近期的市場情勢，下滑幅度恐將較原先預期更為劇烈。

另外，存儲器以外如光電、晶圓代工、模擬及混和訊號 IC、微控制及處理器等其他領域，資本投資力道將持續。

而光電半導體，尤其是 CMOS 影像感測，將增長 33% 達 38 億美元；微控制器、微處理器及數字號處理器將增長 40% 達 48 億美元；類比及混合訊號 IC 投資將增長 19% 達 6.6 億美元。

另外，在晶圓代工方面也將增長 10% 達 130 億美元。

（校對/團團）