三星宣布第2代14納米FinFET工藝技術投入量產
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全新14納米製程帶來難以匹敵的性能和功效
在半導體技術上處於全球領先水平的三星電子，今日宣布已開始使用第二代14納米FinFET製程技術——14nmLPP（Low-PowerPlus），量產更先進的處理器。
三星於2015年第一季度發布了半導體晶片行業首款採用14nmLPE(Low-PowerEarly)工藝量產的Exynos7Octa處理器，成為FinFET邏輯製程上的行業引領者。
隨著14nmLPP製程投入量產，三星進一步展現了工藝技術上的領先優勢，讓業界看到全新的三星Exynos8Octa及為高通等客戶代工的處理器所具備的卓越性能和功效。
高通的驍龍820處理器正是採用了三星最新的14nmLPP製程技術製造，將於今年上半年出現在各品牌的旗艦智慧型手機上。
「我們很高興成為行業生產的主導者，第二代14nmFinFET工藝技術提供了最高水準的性能和功效。
」三星電子系統LSI業務銷售和營銷執行副總裁CharlieBae表示，「三星將致力於14nmFinFET工藝製程下一階段的研發，始終保持我們在技術上的領先優勢。
」
全新14納米處理器運用3DFinFET設計結構，實現高性能和低功耗。
通過電晶體結構和工藝上的優化改進，與之前通過14nmLPE製程生產的處理器相比，三星14nmLPP製程生產的處理器性能提升了15%，而功耗則降低了15%。
此外，使用全耗盡技術的FinFET電晶體使得晶片的生產克服了尺寸縮小的限制，製造能力將進一步增強。
14nmFinFET製程憑藉超強的特性，被譽為移動和物聯網應用的不可或缺的解決之道；它可以滿足不斷增長的市場需求，為網際網路到汽車的廣大應用領域帶來更出色的高能和低耗方案。
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