盤點｜2017年國內半導體產業漲價潮

從去年到2017年12月以來，許多半導體物料出現漲價以及缺貨的情況。

MLCC暴漲30倍，NAND、DRAM、PCB銅箔、矽晶圓、MCU等也出現比較嚴重的缺貨和漲價現象。

整個行業都瀰漫在缺貨漲價的緊張氛圍中……

本文采編：Boone

信息來源：網絡整理

本文僅統計了今年半導體產業漲價幅度較大的物料，轉載請註明來源芯師爺和出處

1半導體材料矽晶圓

矽晶圓是指矽半導體集成電路製作所用的矽晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓。

CPU，FLash和DRAM都是使用晶圓切割而成（不同晶圓用途不同）。

前幾年矽晶圓的價格非常穩定，但到了2017年第一季度突然漲價10%。

據了解，12寸拋光矽晶圓（polished）原本合約均價為每片50～60美元，外延矽晶圓（epitaxial）為每片80美元，第一季均調漲10%幅度。

20納米以下高階矽晶圓原本合約均價約120美元，第一季已調漲至10美元至130美元左右。

第二季度矽晶圓價格繼續上漲，累計漲幅已超過20%，自7月開始的第3季合約價再調漲10%左右。

SEMI指出，第2季矽晶圓出貨總面積為2,978百萬平方英寸，與第1季相較增加4.2%，若與2016年同期相較，則成長10.1%。

SEMI旗下SMG會長暨環球晶圓發言人李崇偉表示，這主要是受到8寸及12寸晶圓出貨所帶動，全球矽晶圓出貨量已連續五季創新高。

矽晶圓供給緊張和漲價的主要驅動因素

大廠全力投入3D NAND擴產；工業與汽車半導體、CIS、物聯網等IC晶片需求龐大；全球擴建晶圓廠讓需求大幅成長，使得整體半導體矽晶圓市況轉為供不應求。

1、全球晶圓代工大廠台積電、三星電子、英特爾進入高端製程工藝競賽，20nm以下的先進工藝將在整個晶圓代工中的比例越來越高，先進的工藝對高質量大矽片的需求越來越大；

2、三星、SK海力士、英特爾／美光、東芝等全力投入3D NAND擴產，3D NAND的投資熱潮將刺激300mm大矽晶圓的需求；

3、儘管智慧型手機的增速放緩，但是手機創新不斷，對高端300mm矽晶圓需求仍將快速增長。

同時工業與汽車半導體、CIS、物聯網等IC晶片開始快速增長，這為8寸和12寸矽片帶來新的增量；

4、大陸半導體廠商大舉建廠擴產晶圓，對矽晶圓的需求龐大。

中國大陸 2017-2020 年將有 26 座新的晶圓廠投入營運。

5、主要矽晶圓供貨商近幾年沒有擴產，正好遇到半導體廠晶圓產能大量開出，所以2017年處於缺貨情況，2018年也將供不應求甚至延續到2019年。

為確保2018年矽晶圓供貨無虞，全球半導體大廠采預付訂金方式確保明年貨源， 價格則每季調漲。

目前，日本矽晶圓大廠Sumco5月起已決定砍掉大陸NOR Flash廠武漢新芯的矽晶圓訂單 ，優先供貨給台積電、英特爾等大廠，加速造成大陸半導體矽晶圓不足困境。

投建大矽片項目對我國集成電路產業的意義就是上游自主可控

目前國內至少已有8個矽片項目：包括上海新昇、重慶超矽、寧夏銀和、浙江金瑞泓、鄭州合晶、宜興中環晶盛項目、西安高新區項目等。

目前國內的總需求約為45萬片/月，預估到2020年我國12寸矽片月需求量為80-100萬片。

而目前我國規劃中的12寸矽片月產能已經達到120萬片，已經足夠滿足我國的需求量。

一定程度上可以緩解矽晶圓缺貨的問題。

PCB銅箔

銅箔是覆銅板(CCL)及印製線路板(PCB)製造的重要的材料。

在當今電子信息產業高速發展中，電解銅箔被稱為：電子產品信號與電力傳輸、溝通的「神經網絡」。

自2016下半年起，銅箔進入漲價周期。

2017年第一季度，在消費電子淡季與新能源汽車市場低迷的雙重影響下，銅箔價格維穩，漲勢趨緩；而大型玻纖紗廠停窯維修刺激玻纖布供應短缺，價格飆升。

因此，以銅箔與玻纖布為原材料的覆銅板延續去年三四季度漲勢，價格持續上行。

二季度，受下游價格及庫存處理等因素影響，銅箔價格稍有回落。

今年7月份以來，下游PCB行業進入行業旺季，iPhone8、華為Mate10、魅族PRO7、小米Note3等眾多手機新機型將進一步帶動三四季度的旺季PCB需求，奠定銅箔和覆銅板漲價的基礎。

到第三季度，電解銅箔廠訂單量爆滿，需求直線上升，金寶股份、威利邦、建滔積層板、金安國紀等企業已經開始對銅箔和覆銅板價格進行調整：

圖|PCB銅箔材料調價時間軸

如上可知，銅箔緊缺、CCL緊缺、PCB交貨困難，持續了一年的銅箔、CCL漲價又開始影響整個PCB行業。

PCB的基材主要是覆銅板CCL，CCL占PCB材料成本約40%左右，而CCL當中，銅箔占CCL成本30%（厚板）/50%（薄板）、玻纖布占40%（厚板）/25%（薄板）、環氧樹脂15%左右。

去年8月起，CCL上游銅箔受鋰電銅箔供需緊張的影響開始漲價，玻纖布也自2016年四季度開始漲價。

近年來，我國已逐漸成為全球印製電路板的主要生產基地，已經形成了以珠三角地區、長三角地區為核心區域的PCB產業聚集帶。

隨著沿海地區勞動力成本的上升，部分PCB企業開始將產能遷移到基礎條件較好的中西部城市，如湖北黃石、安徽廣德、四川遂寧等地。

據Prismark預測，到2020年，中國PCB行業產值將達310.95億美元，占全球PCB行業總產值的比重為50.99%。

國內的PCB企業實力將不斷增強。

2存儲器

存儲器行業正處於強勁增長的階段。

Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術》報告中預計，2016~2022年整個存儲器市場的複合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。

此外，供需失衡正推動存儲器半導體晶片價格上漲，導致存儲器IDM廠商獲得創紀錄的利潤！

存儲器的需求來自各行各業，特別是移動和計算（主要是伺服器）市場。

平均而言，每部智慧型手機的DRAM內存容量將增長三倍以上，預計到2022年將到6GB左右，而每部智慧型手機的NAND存儲器容量將增加5倍以上，預計到2022年將達到150GB以上。

對於伺服器來說，預計到2022年DRAM存儲器容量將達到0.5TB以上，企業級市場SSD的NAND存儲器容量將高達5TB以上。

這些市場的增長驅動力來自深度學習、數據中心、網絡、AR/VR和自動駕駛。

圖|來源：Yole

NOR快閃記憶體市場正在復甦，預計將以驚人的16%複合年增長率成長，預計到2022年將達到44億美元，主要原因是其在如AMOLED顯示器、觸摸顯示驅動器IC和工業物聯網等新領域的應用。

DRAM

DRAM作為半導體存儲器的產品類型之一，常見產品形態是內存條，主要的兩個應用市場是PC和智慧型手機。

圖|內存條

從2015年底到2016年的上半年，DRAM的價格一直在下滑。

由於需求強勁，DRAM價格從2016年下半年以來每季都調漲，報價連續七季升高，堪稱DRAM史上時間最長的漲價。

統計2016年全年漲價情況，DRAM價格漲幅約為20%-30%；2017年價格漲幅約為40%。

從需求端來看，智慧型手機內存容量的升級，以及伺服器/數據中心的強勁需求，拉升了需求的成長。

就供給面來看，全球DRAM內存顆粒嚴重短缺，產能嚴重不足，興建新工廠滿足市場需求已經是必要決策。

然而，興建一座 12 寸廠動輒需要一年的時間，加上機台移入與試產，產能開出時間將會落在 2019 年。

從目前三大 DRAM 廠的產能規劃來看，預計 2018 年各家新增投片量僅約 5-7%，這些新增產能皆來自現有工廠產能的重新規劃與製程轉進。

DRAM大廠技術與產能布局

三星今年的目標除了專注於18nm製程的持續轉進外，近幾季DRAM的高獲利，也刺激三星開始思索可能的DRAM擴產計劃，一方面應對供給吃緊狀況，另一方面則期望提高DRAM產出量，壓抑DRAM價格上漲幅度。

三星此舉將可鞏固領先地位，維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術差距。

SK海力士今年目標還是著重於21nm的良率提升與該製程占比，18nm製程產品則預計年底會有小量出貨；至於擴廠計劃，SK海力士在中國無錫新建的第二座12英寸廠最快要到2019年才會有產能開出。

台灣美光內存(原瑞晶)目前仍致力於改善17nm產品的穩定度，預期到年底良率可達80%以上，而台灣美光晶圓科技(原華亞科)今年仍以20nm製程良率的提升為主，明年將可望有一半產能轉往17nm生產。

台系廠商部分，南亞科第三季營收較前一季小幅成長5.3%，主要因為該公司以利基型產品為主，價格上揚幅度不及國際大廠較完整的產品線。

展望未來，由於該公司20nm良率繼續提升，將會持續改善成本結構，增加南亞科的獲利空間。

力晶科技方面，DRAM季營收下滑3.6%，主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳，排擠部分DRAM產能；華邦方面營收則成長8.7%，但由於後續製程轉進狀況不明，未來獲利狀況將完全受內存平均銷售單價提升的牽動。

附2017年各DRAM廠財報：（來源：集邦諮詢）

圖|2017第一/二季度全球DRAM廠自有品牌內存營收排行

圖|2017第三季度全球DRAM廠自有品牌內存營收排行

NAND Flash

NAND Flash廣泛應用在各種存儲卡，U盤，SSD，eMMC等等大容量設備中。

圖|NAND Flash

回顧2017年上半年，第一季在供給端由於2D-NAND轉往3D-NAND，技術轉換的空窗期導致市場缺貨，NAND Flash價格出現了有史以來最大且持續最長的上漲。

據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket報價，NAND Flash每GB的價格從2016年的0.12美金一路上漲至0.3美金，主流的eMMC價格上漲60%以上。

因為這一漲價範圍，2017年大部分在售手機將價格上調100元，SSD價格漲幅則超過80%。

進入第二季後，儘管工作天數恢復，促使筆記本電腦及平板電腦等裝置的需求較前一季增加，但中國市場智能型手機、平板等消費類產品需求下滑，價格漲幅因此較前季趨緩。

第三季在蘋果十周年新機上市以及伺服器的雙頭馬車帶動下，整體供應缺口進一步擴大，但價格經過數季的調漲以後，已經來到各個OEM廠所能接受的上限，致使價格調漲空間受限。

第四季在伺服器需求減小的影響下，僅剩蘋果的需求動能較為顯著，而東芝晶圓報廢一事亦不如外傳嚴重，加上3D-NAND的擴產腳步未停，致使市場更趨向供需平衡狀態，整體合約價以持平或小漲開出。

預計NAND Flash2018年會降下20%左右。

圖|目前NAND主要大廠生產工藝和月產能

圖|2017第三季度全球NAND廠自有品牌內存營收排行

NOR Flash

Nor flash特點是價格貴、集成度低、無壞塊，一般用於具有作業系統的電子產品中，用於存放boot。

通信設備，如交換機、路由器都會用到。

目前，IPhone8也導入了Nor Flash。

2017 年第 1 季，NOR Flash供貨短缺的情況，主要是存儲器大廠美光，計劃把重心放在成長和應用快速成長的DRAM和NAND Flash快閃記憶體等產品上，對主要客戶發出退出NOR Flash事業的通知，要客戶提早應對，因此引起一連串應用大廠緊急尋找替代供貨來源，導致供應鏈大洗牌。

如此，也造成包括美系音響大廠，以及歐系車用系統大廠都來台灣地區拜訪廠商，搶產能的情況。

第三季眾所矚目的蘋果新機iPhone8開始準備量產以及各家品牌即將進入今年最大一波新手機備貨需求，加上個人電腦、網絡通訊等需求也進入旺季備貨效應，因此NOR Flash缺貨的情況更為顯著，讓NOR Flash價格創下自去年以來最大的上漲幅度，達到季漲10-15%的水準。

NOR Flash在第四季度合約價將再次上漲 15%，CINNO預期2017年整年度NOR Flash價格將較去年年成長超過30%。

從供給端看，NOR Flash整體收縮，美光逐步退出市場，CYPRESS退出中低容量，台系與大陸廠商進行擴產。

預計17/18/19年全球NOR的產能在20.16/22.95/25.98萬片/月。

根據全球 NOR Flash 大廠旺宏電子三季報及法說會，旺宏電子未來暫無擴產計劃，會通過產線調整提升現有設備產能。

旺宏電子預計 NOR Flash 至少會缺貨到明年，其中低容量供求狀況可能會趨於穩定，高容量、高質量的缺貨狀況明年暫時不會改善。

據 Digitimes 的資料，預計 NOR Flash 第四季度合約價將再次上漲 15%。

NOR Flash 漲價和產能擴充將成為公司業績增長的主要動力。

而對於大陸，國內NOR Flash生產主要由代工廠生產，而NOR Flash一般是毛利率最低的產品，代工廠一般不會主動加大的產能，另一方面國內NOR Flash大廠武漢新芯上游矽片受到日系廠商限制，預計到明年對大陸總供給依然會產生影響，漲價情況將延續。

全球存儲大廠營收及計劃

受惠於存儲器價格的上漲，上游存儲廠商營收和利潤均表現亮眼。

三星（Samsung）

三星Q3營收62.05兆韓元，同比增長29.8%，營業利潤達14.53兆韓元，同比暴增179.4%

● 存儲業務營收16.3兆韓元，同比增長65%，半導體營收19.9兆韓元，同比增長51.4%。

● 三星未來將擴大1xnm DRAM技術提升，重點加大10nm級產品和擴大差異化產品，如：HBM銷售、高帶寬的LPDDR4x。

● 滿足伺服器SSD市場需求，加大V-NAND供應，以及加快發展第五代V-NAND。

● 增加10納米產品和圖像傳感器來驅動盈利增長，重點投資EUV相關基礎設施來加強7納米產品競爭力。

美光（Micron）

美光Q4（6月-8月）營收61.4億美元，環比增10.3%，同比增91%，凈利潤23.7億美元，2016年同期虧損1.7億美元。

● DRAM業務營收約占66%，其中伺服器約占30%，移動領域約20%；DRAM銷量增長5%，平均銷售價格上漲8%。

● NAND業務營收約占30%，其中SSD業務約20%，移動業務20%，汽車、工業以及其他嵌入式應用等約20%，消費領域約占40%；NAND銷量增長3%，平均銷售價格上漲5%。

●預計2017年DRAM Bit供應量將增長20%，NAND Bit供應量增長將高於30%。

● 汽車應用市場對20nm的DDR和LPDDR需求顯著增加，汽車級1Xnm DRAM開始送樣。

● 正在與多方進行1Xnm LPDRAM 0EM認證，基於3D TLC的eMCP和eMMC解決方案通過認證。

● 部署1Xnm DRAM和64層3D NAND生產計劃，預計在2017財年結束前有穩定的產出量，第三代3D NAND預計在2018年進行投產。

SK海力士（SK Hynix）

SK海力士Q3季度營收8.1兆韓元，營業利潤3.74兆韓元，凈利潤3.06兆韓元，同比分別上漲91%、415%、411%。

● DRAM營收約占整體營收77%，NAND Flash約占21%，受惠於市場需求狀況良好，DRAM和NAND營收均持續上升。

● 受惠於需求強勁，以及價格上漲，DRAM Bit出貨環比增長17%，平均價格上漲6%。

● NAND Bit出貨量隨季節性需求增加而環比增長16%，平均價格環比下滑3%。

MCP業務，DRAM 4GB/NAND 32GB和高密度產品需求增加。

● 客戶端的SSD漲價力度有限，但是附加值在增加；企業級SSD雖然價格較高但是需求在增加。

● 計劃在Q4批量生產1xnm DRAM，同時HBM2產品也將在該季度提供。

（營收數據來自中國快閃記憶體市場）

3元件與器件MLCC

MLCC漲價潮始於2016年下半年全球第四大MLCC廠商日本TDK宣布退出一般型MLCC市場，引發產品供應緊張，部分物料單顆價格漲幅超10倍。

更嚴峻的是，這波漲價已持續一年有餘，且尚未緩解。

下圖是MLCC全球主要大廠本輪漲價的時間軸，其中全球第三大MLCC廠商、蘋果MLCC供應商國巨更是一年內四次提價，MLCC市場供需缺口備受矚目。

本輪MLCC供給緊張和漲價的主要驅動因素如下：

下游需求結構改變、大廠商產能結構化轉移、擴產遠水難解近渴，以及原材料漲價從成本端驅動價格上漲。

1、市場需求結構改變

MLCC（片式多層陶瓷電容）是電子產品中不可或缺的基本零部件，隨著通信標準演進、新能源行業擴張和電子產品不斷升級，在終端產品持續創新的背景下，MLCC的需求結構也發生著顛覆式的變化。

● 電子產品：手機廠商轉型高端市場，高端產品需要的MLCC用量增加。

● PC端：PC與智慧型手機一樣保持高速增長態勢。

PC改了方案，現行方案比原來方案的MLCC用量也增加了。

● IoT：物聯網(IoT)技術盛行，MLCC提供通訊設備或伺服器利用。

● 汽車電子：汽車對MLCC的需求量極大，全球車用MLCC 需求量的年複合增長率為8%。

預計到2024年，全球車用MLCC 需求量將達到6762 億顆，相比於2015 年的3369 億顆的需求量增長一倍。

● 安防：安防市場對MLCC的需求與手機廠商相當，排名前列的安防大廠其小型化MLCC月用量與手機大廠基本持平。

2、大廠商產能結構化轉移

由於一般型MLCC市場份額之前一直為多家大廠商占據，經過多年激烈競爭，利潤空間所剩無幾。

TDK率先轉型，淡出利潤稀薄的一般型MLCC，轉向利潤空間更大的高端MLCC，進而MLCC巨頭的競爭戰略由過去的價格競爭轉變為產能結構化轉移。

另一方面，iPhone 8於2017年二季度啟動備貨周期，各大廠商進一步壓縮非蘋果系的MLCC產能供應。

此外，三星手機爆炸事故促使三星電機加強品控，延長交貨周期，加劇了MLCC供不應求的狀況。

3、擴產遠水難解近渴

由於MLCC價格自2000年以來始終處於大廠商的激烈競爭之中，未出現過廠商漲價情況，因此下游企業備貨相對保守，故而持續的供不應求使得下游企業措手不及。

儘管全球各大MLCC廠商均有擴產計劃，但新增產能短期內仍難以滿足供需缺口。

全球主要MLCC廠商擴產計劃如下：

從主要廠商擴產計劃來看，新增產能將於2018年二季度開始至2019年初陸續落地，屆時供需失衡的局面將有所緩解。

4、原材料漲價從成本端驅動價格上漲

MLCC主要成本構成如下：

● 陶瓷粉末整體呈現價格上漲趨勢，國瓷材料2017年上半年陶瓷粉末價格上漲10%

● MLCC所需金屬材料價格在過去一年時間裡均呈震盪上升走勢。

● MLCC的需要用到薄型載帶、原紙等材料由於國內近年來環保整治，價格一路走高。

MLCC上游幾大主要原材料在過去一年多的時間內，價格大體呈現震盪上行走勢，成為推動MLCC價格上漲的重要影響因素之一。

截至12月月中，MLCC的漲價暫時有所緩解，業內預計將在1月停止漲價，甚至大幅降價。

（以上MLCC數據來自虎犇數據）

電阻

在電阻的眾多應用領域中， 智慧型手機、汽車電子、LED照明、新能源、物聯網、工控機器人需求凸顯。

今年電阻器市場，上半年需求穩中有升，實際需求按正常規律提升。

原物料及人工成本的上揚，使得廠家無法承受紛紛調升出廠價，造成市場上的各類代理商/經銷大量下單囤貨應付預期的漲價，從而導致各工廠出現產能滿載，供不應求的狀況，但這並不能代表終端客戶真實需求在增長。

同時不排除市場上利用環保壓力、原材料上漲等因素炒作，造成短期市場大規格產品貨源較緊部分電阻。

國巨、厚聲、華新科、大毅、旺詮等台灣原廠相繼漲價後，國內電阻生產商也將跟進，沒想到這麼快，風華高科營銷中心4月20日向客戶發產品漲價通知。

通知內容如下：由於多項原材料和包材成本持續攀升，導致我司部分片式電阻器成本上漲，經營壓力加大。

因此經過我司核算成本和市場分析後，我司決定對片式電阻器進行價格調整。

其中，1-10R產品價格對應標準產品精度、型號的單價乘以1.1倍，2017年4月21日起正式實施。

風華高科市場人士表示，在此之前客戶下單相關產品交期已經延長，價格調整文件已經下放，漲價確認屬實。

整體看，今年電阻市場表現如下：

1、片式化占主流，價格不降反升

比起插腳電阻，貼片電阻具有體積小、重量輕、寄生效應小、可實現自動化貼裝等優點，另外，其單一焊接工藝使PCB組裝簡單並具有成本效益，因此一直占據市場主導地位。

由於手機等消費性產品小型化、便攜性趨勢，片式電阻目前出貨量最大的是0402尺寸。

將各個尺寸的電流做到極致並儘量小型化，是未來市場需求的方向，也是讓利潤價格薄弱的厚膜電阻再升級的方向。

各因素疊加導致大尺寸片式電阻貨源緊張，出現供不應求的局面。

● 需求不斷增加。

加之利潤率低導致部分廠家對大規格產品；

● 擴產積極性不高。

● 此外，去年下半年開始，國家加大環保整治力度，對電阻產出影響較大。

目前，整個電阻器市場處於同業削價競爭，甚至負毛利狀態（尤其是碳膜電阻器和片式電阻市場）。

貼片電阻價格不跌反漲，還有原因是兩三年前許多電阻大厂部分減產甚至停產，轉而生產圓柱型貼片電阻以面向工控市場，造成短時間出現缺貨或交期變長。

也許受大尺寸片阻的貨源緊張的影響，目前大尺寸片阻價格有所上揚。

小尺寸電阻產品的市場需求量仍增加中， 0805/1206尺寸電阻主要用在工業、汽車等領域，市場成長相對較穩定。

由於許多客戶基於人工成本考慮已開始採取自動貼裝機生產，因此預計1206、 2010等SMD電阻器的市場需求，仍有成長的機會。

2、片式電阻短期供應仍有缺口

在原材料價格一漲再漲的情況下，一些頂不住壓力的電阻器生產廠家已率先提高出廠報價，且交期普遍拉長至8-10周。

厚膜電阻完全以價格為導向，最便宜的訂單最多，產能最滿，品牌考慮次之。

厚膜市場漲價之後，對廠商而言比拼的將是產能以及漲價後的價格。

對於低階電阻，經濟規模是其唯一可走的路，如果跟不上市場價格波動就只有被併購或是擴大產能降低成本。

電阻漲聲四起，只會造成厚膜電阻廠商新一輪的洗牌，並不會造成市場齊揚。

MOSFET

自2016年下半年開始，功率半導體行情回暖，MOSFET供不應求加劇，交期不斷拉長，國內外MOSFET企業紛紛調漲，目前整體漲勢仍然未見緩和。

由於汽車電子等新增需求持續爆發，半導體產業鏈出現缺貨，上游矽晶圓等原料持續走高。

有業界人士表示，下游需求旺盛，功率半導體器件交貨期延長，MOSFET交期一般來說是8周左右，但9月開始交期已拉長到20周以上，終端廠商為了鞏固貨源，願意追加價格搶貨，致使MOSFET價格高漲。

圖|MOSFET產品調價時間軸

MOSFET漲價的主要驅動因素如下：

原材料矽晶圓的漲價，大廠退出小功率市場改往高端市場，無線充電興起成為手機廠的新應用，指紋識別晶片及PMIS、CIS需求量暴漲、汽車市場不斷擴大。

從供給端看，MOSFET大廠瑞薩退出中低壓市場，英飛凌等大廠產能集中在汽車、工控等中高端市場，導致中低壓MOSFET供應減少。

而由於功率器件和普通MOS工藝大部分可通用，導致在8英寸產線上功率MOSFET產能部分被指紋識別晶片及PMIS、CIS等擠占，也是MOSFET供應減少的原因。

從需求端看，傳統旺季PC/筆記本電腦需求量提升，導致MOSFET成倍增加；另外在iPhone 新品帶動下，無線充電正成為手機廠的新應用，導致MOSFET需求強勁；而MOSFET在汽車領域的應用以年複合增長率5.1%的速度增加，有望超越計算和數據存儲領域。

再加上原材料8英寸矽晶圓短缺，價格進入300美元區間，更為MOSFET漲價添把火。

從目前上游矽晶圓的供應情況看，今年以來矽晶圓價格逐季調漲，在第3季調漲10～15%後，平均價格已到70美元左右，第4季續漲10%，平均價格站上80美元大關。

明年第1季更因為供給端出現近10%的缺口，預期報價可能上漲10～20%狂飆至100美元。

矽晶圓廠已通知大客戶若先預付訂金，就可先鞏固產能及鎖定出貨價格。

如此，MOSFET價格未來可能還會上漲。

而從終端需求看，智慧型手機快速充電、無線充電等市場火熱，由於USB-PD快充以及蘋果新一代手機支持無線充電的帶動，對功率器件的需求就在眼前。

據工信部的數據顯示，2016年中國汽車產銷突破2800萬輛，已連續八年位居世界第一位。

尤其新能源汽車，中國已經成為其最大的生產和銷售市場。

根據賽迪顧問的報告，功率半導體占到新能源汽車新增半導體用量的76%、新能源整車半導體用量的50%。

受新能源汽車市場消息的刺激，功率器件MOSFET在充電管理、BMS電池管理，MCU驅動電源以及充電樁上廣泛應用的需求潛力巨大。

從長期來看MOSFET市場成長比較樂觀。

目前國內外MOSFET廠商包括：

● 歐美日韓：英飛凌、TI、安森美、ST、AOS、羅姆、瑞薩、東芝、韓國美格納、KEC等。

● 台系：富鼎先進、茂達電子、強茂、友順、尼克森等。

● 中國大陸：杭州士蘭微、樂山無線電、江蘇長電科技、廣東風華高科、蘇州固鎝、無錫新潔能、蘇州東微、深圳德普、西安后羿、吉林華微電子、深愛半導體等。

未來MOSFET廠商將受益於終端市場以及新能源汽車需求爆發。

目前，MOSFET仍然受到上游產能的影響，8寸線產能由於受到指紋晶片擠占未能充足給到MOSFET。

然而最新發布的iPhoneX取消了指紋識別，取而代之的是人臉識別，市場風向轉變，指紋識別晶片的應用以及出貨或將受此影響，那麼進而能否釋放部分產能呢。

與此同時，相信晶圓廠也將適時考慮擴產計劃。

這一切或許能對MOSFET的供應緊張形勢起到緩解作用。

MCU

MCU單片微型計算機是為不同的應用場合做不同組合控制。

諸如手機、PC外圍、遙控器，至汽車電子、工業上的步進馬達、機器手臂的控制等，都可見到MCU的身影。

由於汽車電子及物聯網大量導入MCU架構，加上包括意法、德儀、瑞薩等IDM廠產能不足，導致交期大幅拉長至3個月以上，部份缺貨嚴重的料號交期更長達半年。

隨著終端需求明年上半年進入淡季，加上晶圓代工產能支持，交期可望縮小至3個月以內，但仍較安全交期的1～1.5個月長。

各廠商交期匯總：

● 恩智浦：放棄8位MCU市場不再生產，32位MCU交期為12-14周；

● 賽普拉斯：Cypress的32 位 MCU產品交期10-12周，部分8位MCU產品交貨周期從8-10周延長至16周，對多款產品價格和交期進行調整；

● 微芯：Microchip延長交期至12-16周；

● 瑞薩電子：Renesas受地震頻發影響，Renesas的產能偏於保守導致該公司8位和32位MCU交期延長至25周；

● 意法半導體：8位和32位MCU交期為14-16周產品線穩定交貨。

車用MCU和舊產品線延長3周。

目前，MCU只是缺貨交期延長，並未漲價。

IGBT、IPM

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

通過供應鏈渠道反饋，近來IGBT產品供應趨緊有缺貨現象。

信息顯示，一些品牌IGBT以前交期為12周，現在20周交期都不能保證。

Fairchild目前交期20-24周，由於對技術的高需求導致的後端產能限制，IPM模塊貨期將從14周增加至40周。

英飛凌的CO-Pack 產品 （整流器組合)）貨期達到 20 周以上。

ST意法半導體目前交期普遍較長，未來6個月產能已滿載。

目前IGBT、IPM缺貨交期拉長，並未漲價。

寫在最後

目前中國在許多領域，中高端市場上用到的關鍵原材料和生產工具(包括設備、儀器等)，大多把持在歐美、日本和韓國人手裡，中國企業只能在沒有多少技術含量的產業環節里，以廉價的代工優勢，換取一些血汗錢而已。

對於生產所必需的原材料和生產工具，只有排隊等候的份。

隨著《中國製造 2025》的發布，現在中國正在全力布局半導體產業，從IC設計、晶圓加工、封裝、測試，已經形成了一條完整的產業鏈。

未來我們將不再受制於人，我們將使用自主智慧財產權的科技產品。

未來的定價權會掌握在我們自己手裡，電子產品漲價之苦，今後一定將會得到緩解。