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英特爾10nm工藝揭秘：2.7倍電晶體密度，首次使用貴金屬釕

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英特爾現在的主力工藝依然是14nm，目前已經發展了三代14nm工藝，將會一直用到2019年底，之後才會升級10nm工藝。

不過10nm處理器最近已經上市了，聯想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架構的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝電晶體密度達到了100MTr/mm2，是14nm節點的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。

Techinsights日前就以聯想Ideapad 330中的Core i3-8121處理器為例分析了英特爾的10nm工藝，詳細報告還沒有發布，他們只公布了部分數據，英特爾的10nm工藝主要創新如下：

·邏輯電晶體密度達到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1億個電晶體，電晶體密度是14nm工藝的2.7倍多。

英特爾之前公布的自家14nm工藝特點

·10nm FinFET使用的是第三代FinFET電晶體工藝技術

·10nm工藝的最小柵極距（gate pitch）從之前的70nm縮小到了54nm。

·10nm工藝的最小金屬間距（metal pitch）從之前的52nm縮小到了36nm。

英特爾10nm工藝亮點：

·與現有10nm及即將問世的7nm工藝相比，英特爾10nm工藝具有最好的間距縮小指標

·在後端製程BEOL中首次聯合使用金屬銅及釕，後者是一種貴金屬

·在contact及BEOL端使用了自對齊曝光方案（self-aligned patterning scheme）

設計亮點：

·通過6.2-Track高密度庫實現了超級縮放（Hyperscaling ）

·Cell級別的COAG（Contact on active gate）技術

關於英特爾的10nm工藝優勢，之前我們也介紹過，而且英特爾CEO科贊奇也解釋過他們的10nm工藝為什麼難產的問題，一大原因就是他們的10nm工藝指標定的太高了，10nm工藝100MTr/mm2的電晶體密度實際上跟台積電、三星的7nm工藝差不多，性能指標是很好的，但遇到了良率這樣的問題，所以量產時間上要比其他兩家落後兩年多。

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