中芯國際放大招-"14nm工藝晶圓2019年量產"
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中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝,並藉此進入......
晶圓製造是目前晶片設計環節的中上游重要組成部分,國際上一直處在半壟斷競爭態勢中。
台積電、三星、Intel等國際巨頭的晶圓工藝使他們科技力量的重要源泉。
日前,中芯國際傳來了中國晶圓好消息。
中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝,並藉此進入AI晶片領域。
中芯國際目前的聯席CEO梁孟松表示,28nm工藝在整個2018年將占據中芯國際出貨量的5-10%,其中新的28nm HKC占比將基本接近28nm Poly-SiON。
2017年第四季度,中芯國際深圳200毫米晶圓廠的產能為442750塊晶圓,2018年第一季度提升至447750塊,平均產能利用率也提高到88.3%。
同時,來自電源管理IC的需求也越來越高,200毫米晶圓廠正全力生產,高壓BCD工藝則轉向其300毫米晶圓廠。
2017年,中芯國際收入31.01億美元,同比增長6.4%,毛利率23.9%,同比下降5.3個百分點,凈利潤10.81億美元,同比增長10.6%。
其中,28nm工藝貢獻的收入增長4.4倍創造新高,總體占比為8.0%,
中芯國際聯席CEO趙海軍透露,2018年第一季度中芯國際收入8.31億美元,毛利率26.5%,研發投入1.23億美元,預計第二季度收入環比增長7-9%,毛利率23-25%。
中芯國際40%的收入都來自中國內地,梁孟松此前曾任職台積電,被稱為能為中芯國際帶來巨大進步的推動者。
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