半導體投資不妨採用「N+1」政策！

2020-08-31

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近來，有關台積電在中國大陸投資建設12英寸晶圓製造廠的消息是最為引人關注的新聞之一，任何動向都會引發媒體的跟風報導。

日前有媒體披露「南京市政務服務中心網站發布招標公告，就三期浦口經濟開發區進行場地平整工程招標，內容明示為台積電地塊」，再次引發業界持續關注。

與此同時，重慶、深圳等地對台積電落戶的招商力度仍然絲毫不減。

台積電能在中國大陸投資建廠，特別還是1座12英寸的晶圓當然是好事一件，此前台積電在中國大陸的上海松江設有8英寸廠。

然而考慮到此次台積電在大陸建立的12英寸廠中引入的工藝技術，最先進的可能也僅為28納米，卻又不能不說是一大遺憾了。

畢竟在國際上，英特爾、三星和格羅方德已經量產14納米工藝，台積電16納米工藝也於近期實現量產(據聞於7月份量產，年底放量)，而且即使在中國大陸範圍內，中芯國際已經在今年年中實現了28納米的量產，年底即可放量。

當然，台積電做出這樣的決定並不出人意料，因為這是根據台灣有關半導體廠赴大陸設廠的規定，所輸出的製程技術必須落後該公司在台灣製程技術一個世代以上(N-1)。

目前台積電製程最先進工藝為16納米。

20納米為一個小節點，目前鮮少有採用該節點進行產品開發的設計公司，台積電的台灣廠在該節點上的訂單也不多，沒有必要在大陸另建新廠，所以最有可能進入大陸的就是28納米。

可是，將這樣一個技術節點引入，並不令人興奮，甚至可能對我們的產業發展存在一定影響：中芯國際在北京及上海的2座12英寸廠，今年年底就將跨入28納米，台積電的投資對中國大陸半導體製造行業的技術進步並沒有帶來促進作用，反而有可能過早形成壓力。

如果拉長視角，可以更好地理解當初我們為何樂於接受國際上非先進技術的投資。

因為那時中國大陸的晶圓製造水平與國際先進水平差距較大。

本世紀初中國大陸的製造工藝尚停留在1微米到0.8微米節點，國際上的主流工藝已經達到0.18微米到0.13微米了，所以即使是處於N-1政策下的台灣廠商投資，仍有其先進性，落戶城市自然也是十分歡迎的。

然而目前的形勢已經改變了。

中國大陸半導體技術與國際先進技術的差距逐漸拉近，中國大陸半導體業也並不缺少資金，最需要的是更加先進的工藝技術和人才。

所以，如果台積電此次投資能夠引入16納米先進工藝，那麼我們應當歡呼，應當給予一系列優惠政策。

所以，在這裡我不妨提出一個建議，既然台灣為了保護本地產業，可以出台「N-1政策」，那麼，中國大陸為什麼不能出台「N+1」的規定呢?如果想來大陸投資，想要得到更多優惠政策，想要獲得更多市場份額，那麼就請投資比現有工藝水平更先進一代的技術吧。

如此，方有利於我們技術的進步與趕超，更有利於本土產業的發展。

以現在中國大陸的半導體產業的發展水平和整體經濟實力，已經到了可以對外大聲說「想來這裡投資賺錢，那就把好東西拿出來吧」的時候了。

另外，再補充一個消息：近日台灣投審會正式駁回了清華紫光在台設立「紫光展訊分公司」的申請，理由是對紫光集團有大量挖角台灣IC人才的疑慮，不利台產業發展。

而大陸這裡卻有多個城市在為台積電投資建廠而爭奪。

新聞要對比著看才有意思。

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