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新增8納米LPU！三星更新技術線路圖，更多黑科技被曝光

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日前，三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇2018年會，在會上公布了多項製程工藝技術，讓人耳目一新。

在會上三星透露，7納米工藝會在接下來的幾個季度內大規模量產，同時三星將會引入8納米 LPU工藝，最後是三星已經針對3納米工藝進行布局，將會使用一種全新的GAAFET技術來實現3納米製程工藝。

三星表示，已經在韓國的工廠中配備了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻機，價值6萬億韓元的EUV產線也預計2019年竣工，將會在2020年開足馬力全力生產。




值得注意的是，因為此前三星的7納米工藝跳票，所以高通的下代旗艦晶片將會由台積電進行代工，讓三星損失慘重。

不過三星表示高通的5G SoC（並非驍龍855）將會由三星負責代工，但這也是後話了。

8納米LPU工藝的到來或許會讓人感到意外，三星表示這是8納米LPP工藝的改良版，這時候推出新工藝是為了填補7納米工藝大規模量產之前的空窗期，而高通也會是8納米LPU工藝的客戶之一，估計未來的6系列和7系列晶片會使用這一製程工藝。

在三星的計劃表中，已經確定將會在2019年利用FinFET技術，對5納米和4納米工藝進行風險試產。

但由於到了3納米工藝的時候，FinFET技術已經無法滿足需要，所以將會轉用新研發的GAAFET技術方案，3納米工藝將會在2020年進行試產。


根據摩爾定律，半導體行業的集成度不斷飛升，但到了現在已經進入了瓶頸期。

如果在材料和技術方面無法取得突破，那麼製程工藝在長時間內很可能會止步不前。

說個題外話，雖然三星的工藝已經開始向3納米探索，但英特爾的晶片工藝卻依然停留在10納米。

話雖如此，同樣是10納米工藝，英特爾晶片的集成度幾乎是三星的一倍，所以能效也領先許多。

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