2019年:4nm風險試產、7nm 規模量產、新增8nm LPU,三星更新技術路線圖

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來源:快科技

日前,三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇(SFF)2018年會,更新了技術路線圖。

簡單來說,主要有三點,一是基於EUV技術的7nm製程工藝會在接下來幾個季度內大規模量產(初期EUV僅用於選擇層),二是導入8nm LPU工藝,三是重申,圍繞3nm節點,將引入閘極全環場效電晶體(Gate-all-aroundFET,GAAFET),來取代FinFET(鰭式場效應電晶體)。

三星晶圓廠分布

關於第一點,三星稱已經在韓國華城的S3工廠配置了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻機,投資6萬億韓元的新EUV產線預計2019年竣工,2020年擴大生產規模。

目前,官宣採用三星7nm LPP工藝的是高通驍龍5G SoC。

關於第二點,8nm LPU(low power ultimate)是8nm LPP的改良版,後者比10nm LPP減少10%的晶片面積和10%的功耗,看起來LPU將進一步在功耗、面積上做文章。

由於三星7nm LPP補充產能需要等到2020年,此間就是8nm在市場大展拳腳的契機。

按照ZDNet的說法,高通也是三星8nm的客戶。

至於第三點,三星將FinFET技術的極限發揮到5nm LPE和4nm LPP,計劃2019年風險試產。

不過到了3nm時代,晶片越做越小,電流信道寬度不斷變窄,難以控制電流方向,三星提出了GAAFET方案,定於2020年早些時候試產。

另外,三星還表示,2019年,單晶片封裝技術3D SiP將準備就緒。


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