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美再下華為禁令 研調：台積電Q3產能利用率恐受衝擊

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美再下華為禁令 研調：台積電Q3產能利用率恐受衝擊

華為因應美方再度給予90天寬限期，已緊急對台積電追加高達7億美元大單。

（路透）

美國再祭出對華為進一步的封殺令，TrendForce記憶體儲存研究（DRAM eXchange）最新分析指出，若台積電在短期內未獲得美方許可，且海思後續產品持續被禁止投片，在寬限期120天過後，可能導致台積電第3季16/12nm以下先進位程產能利用率受到明顯衝擊。


針對美國商務部工業和安全局5月15日公布的最新規範對晶圓代工產業的影響，TrendForce表示，雖然目前相關法條仍有進一步解釋的空間，但從已知規範來看，在5月15日後若要額外增加投片，都需要經過核准。

加上美國對華為或整體中國品牌的規範力道不排除將持續增強，因此對晶圓代工廠的後續影響可能不容樂觀。


根據TrendForce調查，目前海思在台積電總投片占比約兩成左右，主要為16/12nm（含）以下先進位程，其中16/12nm產品以5G基站相關晶片為主，另有中階4G智慧型手機SoC- Kirin 710（海思今年已有小量Kirin710轉投片至中芯國際14nm製程）。


以中芯國際產能來看，14nm目前主要生產海思Kirin 710，2020年第2季每月產能平均約5K。

近日中芯國際旗下中芯南方獲得中國國家積體電路基金II（大基金二期）及上海積體電路基金II投資約22.5億美元，並宣布中芯國際產能將以增加至每月35K為目標，相較原先規劃2020年底15K的產能增加約20K。


TrendForce認為，考量中芯國際14nm良率還未有效改善，現階段對海思而言，在16nm（含）以下先進位程台積電的地位仍難取代。


TrendForce強調，若台積電在短期內未獲得美方許可，且海思後續產品持續被禁止投片，在寬限期120天過後，可能導致台積電第3季16/12nm以下先進位程產能利用率受到明顯衝擊。

即使市場預期AMD、NVIDIA及聯發科等強勁的5G、HPC需求將持續挹注7nm投片，但TrendForce認為仍難以完全補足海思的缺口。


TrendForce表示，限制使用美國設備生產華為（海思）晶片短期內將對台積電造成不小的影響。

而且規範並未指明針對台積電，因此同樣使用美國設備製造半導體晶片的中芯國際，甚至其他半導體晶圓代工廠都將同樣受到出貨限制。


TrendForce說，短期內，華為雖可仰賴既有庫存持續生產終端產品，但中長期來說，將面臨無法在兩大代工夥伴台積電及中芯國際下單的威脅，進而影響終端產品生產。


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