高通聯發科海思決戰10納米 勝負關鍵在晶圓代工廠
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手機晶片10納米大戰正式開打!手機晶片龍頭高通(Qualcomm)搶在美國消費性電子展(CES)前發表10納米Snapdragon 835手機晶片,採用三星10納米製程生產。
聯發科交由台積電10納米代工的Helio X30也已進入量產階段,明年上半年將再推出Helio X35搶市,至於華為旗下海思半導體Kirin 970也將在明年採用台積電10納米量產。
業界人士指出,明年第一季將是高通、聯發科、海思等三大手機晶片廠的10納米晶片大戰開打,雖然規格上仍是高通領先同業,不過能否真正放量出貨並搶下手機廠訂單,關鍵反而在於台積電及三星等晶圓代工廠能否符合預期開出產能。
高通宣布子公司高通技術公司發表新一代Snapdragon 835手機晶片,雖然大部份細節規格都還沒正式公布,但說明將支援最新的Quick Charge 4快充技術,進行5分鐘充電後,將手機使用時間延長至5小時以上,且Quick Charge 4支援 Type-C連接埠和通用匯流排電力傳輸(USB-PD),可廣泛的適用於各種連接線和轉接器之上。
聯發科早在10月初就說明了新一代10納米Helio X30手機晶片部份細節。
聯發科Helio X30手機晶片是10核心架構,確認將採用2+4+4的三叢集運算架構,包括運算時脈高達2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配運算時脈達2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及運算時脈達2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。
與上一代十核心Helio X20手機晶片相較,運算效能可提升43%,功耗上則可節省58%。
聯發科Helio X30已經在第四季將率先進入量產投片階段,採用台積電10納米制投片,策略上就是希望藉由台積電在晶圓代工市場的技術領先優勢來打造Helio X30,以對抗採用三星10納米生產的高通Snapdragon 835。
同時,聯發科新一代Helio X30手機晶片支持LTE Cat.10規格,並且是全球全模的手機晶片,預期明年第一季將可順利出貨,明年上半年還會再推出支持Cat.12的10納米Helio X35搶市。
華為旗下海思半導體已經加快10納米微縮速度,業界預期,明年上半年將會推出首款採用台積電10納米生產的Kirin 970手機晶片,雖然架構上可能仍是8核心,但在數據機上會率先支援Cat.12的全球全模規格。
來源:中時電子報
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