台積電公布最新技術藍圖:5nm明年試產 2nm以下工藝取得進展
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來源:EETIMES,東方IC
最近在美國加州聖克拉拉舉辦的第24屆年度技術研討會上,台積電在場公布了一份最新的技術藍圖。
台積電是全球第一大晶圓代工廠商,所以,台積電規劃的這份技術發展藍圖,顯然也就有被他人了解的價值和意義。
在美國加州聖克拉拉舉辦的第24屆年度技術研討會上,台積電當場宣布7nm工藝已進入量產,在2019年初將投產EUV(極紫外光刻機)版的7nm+工藝。
另外,台積電在會上還公布了5nm工藝節點的首個時間表,以及數種新的封裝技術方案。
台積電會繼續將功耗低、漏電低的製程工藝技術推向在行業中更為主流的22/12nm工藝節點,並為客戶提供多種且特殊的製程工藝以及一系列的嵌入式存儲方案;與此同時,台積電也在積極地探索未來的電晶體結構與原材料。
從總體上看來,預計台積電在2018年可生產出1200萬片晶圓,台積電的研發開支和資本開支均比以往有所增長;同樣是在2018年,台積電設在南京的一座晶圓工廠開始量產16nm
FinFET製程工藝。
不過,有一個不好的消息是,就台積電而言,新的製程節點為自身帶來的收益趨於更加薄弱;新的常態是,台積電研發並推出新的製程工藝節點,主要是為持續提升晶片的性能、降低晶片的功耗(功耗下降的幅度通常在10%-20%之間)。
這對整個晶圓代工行業來說,新的封裝技術與特殊的製程越來越重要。
台積電已開始投入量產7nm工藝,業界預計2018年會有50個以上的設計案投片,包括CPU、GPU、人工智慧加速器晶片、加密貨幣挖礦專用晶片ASIC、網絡路晶片、遊戲機晶片、
5G晶片和車用晶片等。
台積電預計在2019上半年開始對5nm製程進行風險試產,該製程將最先用於手機與高性能的運算晶片;與台積電當前已量產的7nm工藝相比較,5nm工藝節點的密度可達1.8倍,可降低功耗20%左右,在速度上大約提升15%。
市場研究機構The Linley Group的分析師Mike Demler表示:「沒有EUV,他們就無法提供與過去節點相同的微縮優勢。
如果你看7nm+製程,號稱比7nm製程再微縮20%,因此EUV還是更接近傳統摩爾定律微縮水準所需的,而7nm到5nm節點的微縮效果只會更糟。
」
台積電明顯有能力在2019年初開始量產EUV版的7nm+工藝,台積電現有的系統在2018年4月里以250W維持生產了數周的時間,預期2019年可達到300W,這是量產時所需的功率水準。
不過要維持每日平均145W的功率,台積電仍需努力。
台積電的研發副總經理米玉傑就此表態:「生產量正朝向滿足量產所需發展。
」除了透露在功率以及生產量方面的進步,米玉傑還表示,儘管仍超出三分之一,光阻劑量的減少幅度也朝著台積電在2019年第1季度量產的目標邁進;此外EUV光源的光罩護膜的穿透率目前達到83%,2019年應該可以達到90%。
米玉傑以數個案例為證明並表示,EUV光刻機可持續提供比浸潤式步進機更佳的關鍵尺寸均勻度;台積電預期會同時在7nm+工藝以及5nm工藝節點的多個層採用EUV光刻機,並將在工廠中積極安裝ASML的NXE3400微影設備。
由此不難得出,台積電的EUV製程工藝量產計劃與三星的量產時程相差僅在半年以內。
三星已經表示將於2018年就導入EUV量產,而台積電與三星的EUV量產時程差距,其實尚不足以讓蘋果、高通等大客戶更換代工廠商;市場研究機構VLSI Research的執行長G. Dan Hutcheson表示,三星的EUV量產比起台積電只有幾個月的領先,這在長期看來是微不足道的。
台積電的5nm工藝節點,目前正處於萌芽的階段,預計在2018年6月會釋出0.5版的EDA流程,在2018年7月則推出0.5版的設計工具套件;該工藝節點還有許多的IP功能區塊要到2019年才會完成驗證,這包括PCIe 4.0、DDR4以及USB 3.1介面。
台積電所設定的目標是,2019年讓10/7nm工藝節點的產量比當前增長3倍,達到年產110萬片晶圓的目標;台積電的Fab 18工廠已經在台南科學園區興建中,2020年可望開始量產5nm工藝。
台積電已為GPU與其他處理器開發出了CoWoS 2.5D封裝技術,還有適用於智慧型手機晶片的晶圓級扇出式封裝InFO。
台積電除了繼續推廣這兩種技術外,還將新增另外的封裝技術方案。
自2019年初開始,CoWoS技術將提供具備倍縮光罩兩倍尺寸的矽中介層選項,而具備130μm凸塊間距的版本將在2018年通過品質認證。
InFO技術則會有四種衍生技術,其中存儲基板應用的InFO-MS,將在1x倍縮光罩的基板上封裝系統級晶片SoC與HBM,具備2x2μm的重分布層,將在2018年9月通過驗證。
InFO-oS有著與DRAM內存晶片更匹配的背向RDL間距,且已經準備就緒;一種名為MUST的多堆疊選項,將1-2顆晶片放在另一顆比較大的晶片頂部,然後以位於堆疊底部的矽中介層來連結。
最後還有一種InFO-AIP便是封裝天線技術,可將外觀尺寸縮小10%,天線增益提高40%,主要用於5G基帶晶片的前端模組。
市場研究機構TechSearch International的總裁暨資深封裝技術分析師Jan Vardaman表示:「InFO是重要的平台,台積電的以PoP形式整合存儲器與基帶/數據機的InFO封裝令人印象深刻──高度較低、尺寸較小而且性能更佳;基板上InFO技術則會在市場上大受歡迎,因為2微米線寬與間距適合多種應用。
」
台積電還發布了兩種全新的封裝技術方案選項。
其中在2018年4月底問世的wafer-on-wafer封裝直接以打線堆疊三顆裸晶,不過使用者還需要確定在EDA流程是否支持這種打線技術;該技術還將在2018年6月推出支持EMI的版本。
最後台積電還大略描述了一種被稱為「整合晶片系統(system-on-integrated-chips)」的技術,採用10nm以下的互連以連結兩顆裸晶,但技術細節還要到2019年才能夠透露;該技術瞄準的應用從移動通訊到高性能的運算晶片,而且能連結採用不同的製程節點所生產的裸晶,業者揣測這應該是某種形式的系統級封裝技術方案。
一位分析師在台積電技術研討會的休息時段說了這樣一句話:「日月光一直是封裝技術領域的領頭羊,但現在我不得不說,其實台積電才是封裝技術領域裡的第一名。
」
在台積電的營收中,有三分之一以上的收入來自於28nm以上工藝節點。
當然,台積電自然就有比7/5nm工藝節點落後一至多個世代的製程工藝。
比如,台積電正在研發22nm平面製程與12nm
FinFET製程的超低功耗與超低漏電版本,可與格羅方德、三星的FD-SOI製程相抗衡。
新版本的22nm製程採用28nm的設計規則,提供10%的光學微縮與速度增益,降低20%的功耗,該製程與相關的IP將於2018年底準備就緒,瞄準的是先進的MCU、物聯網與5G毫米波晶片等應用。
12nm版本的低功耗、低漏電製程則採用FinFET架構以及更小巧的單元庫,可提供比台積電的16FFC製程高16%的速度,高速Serdes等少數幾個IP則要到2019年才能問世。
又比如,在存儲器方面,40nm的f電阻式RAM已經準備好取代物聯網晶片中的快閃記憶體,只需要添加兩層光罩,並支持10年的儲存時間以及1萬次讀寫周期。
將於2018年問世的22nm嵌入式MRAM支持高於快快閃記憶體儲的速度和更長的儲存期限,所面向的應用範圍包括汽車、手機、高性能的運算等設計;該技術到目前為止在測試晶片上均有很高的良率。
再比如,台積電還提供小型化的微機電系統MEMS製程,預期在2018年秋天可提供整合10V與650V驅動器的矽基氮化鎵(GaN-on-silicon)製程,2019年則可完成蜂窩通訊功率放大器採用的100V D-HEMT製程驗證。
台積電也具備車用16FFC製程的驗證EDA流程以及IP,2018年底底可提供7nm車用製程,2019年第二季通過完整認證。
台積電正在研究適合2nm以下製程節點的電晶體所需的堆疊納米線,並在納米片設計上取得了進展,號稱能支持比FinFET更佳的靜電特性,而且可以藉由調整元件寬度達到功耗與性能的最佳化。
台積電認為鍺具有替代矽的潛力,因為,在相同的速度下功耗更低;台積電已經在與CMOS相容之介電質中利用該材料,達到了創紀錄的低接觸電阻。
台積電也正在研究各種2D後段材料,包括具備原子級光滑表面的二硫化鉬。
台積電也在實驗新的方法來放大銅晶粒,從而降低互連中的電阻;台積電正在研發選擇性介電質上介電質沉積製程,以實現銅通孔的的自動對準。
在存儲器技術方面,22nm以下工藝節點的嵌入式MRAM技術是台積電的重點研發項目之一,有可能具備替代性磁結構;在40nm以下電阻式隨機存取存儲器部方面,高密度的縱橫閂被視為具能源效益的方案,特別是應用於人工智慧加速晶片。
在製程自動化部份,台積電正採用機器學習技術系統化分析大量晶圓製程資料,並已經針對特定工具與產品調整了製程參數。
台積電現在有著超過5萬種的製程參數與上千萬的製程管製圖資料庫。
台積電將如何把機器學習運用於自動化任務,以及將運用於何種產品線上,目前外界對此並不清楚。
台積電南京晶圓工廠
最後需要簡單一提的是台積電設在南京的那座晶圓工廠。
台積電南京晶圓工廠比原計劃提前了數個月開始量產,該工廠投入量產的是16nm FinFET製程工藝。
待台積電南京工廠完全建成並投入運營後,每月可生產8萬片晶圓。
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