集成電路產業投資報告：未來五年我國集成電路投資將達萬億

根據產業投資計劃，未來 5 年我國集成電路投資將達萬億

在未來 4-5 年間我國投入集成電路製造領域的資金將達到 1.2 萬億元，年均投資額超 過過去 5 年平均的 2 倍以上，未來 3 年投產 12 寸晶圓廠數量占全球比例 40%。

根據整理的數據，目前在建和計劃建設的集成電路項目合計總金額達到 1.2 萬億元，絕大部分 將在 2021 年前投產。

根據國際半導體設備與材料產業協會(SEMI)發布的報告，目前全 球處於規劃或建設階段，預計將於 2017 年~2020 年間投產的半導體晶圓廠約為 62 座， 其中 26 座設於中國，占全球總數 42%。

這些建於中國的晶圓廠 2017 年預計將有 6 座上 線投產，2018 年達到高峰，共 13 座晶圓廠加入營運，其中多數為晶圓代工廠。

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集成電路產業作為戰略性產業，政策和資金支持力度非常大。

2014 年國家集成電路產 業投資基金成立，以公司制的形式運營，募集資金 1400 億元，此後，各地地方政府紛紛成 立各類集成電路產業基金，目前國家和地方政府基金合計高達 4000 億元，總計有望帶動5-8 倍的社會投資，總計將有 3-5 萬億的資金投入半導體產業中。

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根據產業規律以及目前發展階段，IC 投資將長期高增長

1.根據產業發展規律，我國集成電路投資長期將保持高增長

集成電路產業投資兼具周期性和高速成長性。

具體來說，一般每 3-5 年左右會有一個 投資周期，有高峰有低谷，但下一個周期的年均投資額度將顯著大於前一個周期。

周期性 的背後是集成電路產品的產量，需求，價格以及技術升級共同決定的。

隨著技術升級，集 成電路製造投資金額成倍甚至數十倍增加，目前一條 12 英寸 32/28nm 的生產線投資高達50 億美元，14nm 的生產線投資額高達 100 億美元，技術研發費用同理，從 20nm 升級 到 16nm，引領者研發費用從 12 億美元上升到 22 億美元，上升 80%。

加上技術升級快， 需要持續投入建設生產線以形成規模優勢，僅依賴一條生產線難以形成氣候，故集成電路 製造投資非常之高。

以全球半導體龍頭公司三星電子為例，公司過去 25 年集成電路投資過程雖有波動， 但也保持了年均 12%的增長。

三星電子從 1993-2017 年的半導體資本支出大致有 5 個小 周期，每個小周期的平均投資金額都高於上個小周期的平均投資金額，這對應著背後技術 的升級周期，以 DARM 存儲器為例，1990 年 16M DARM 存儲器投產，後續基本每 3-4年 DARM 存儲器容量升高 4 倍，到 2001 年左右 4G DARM 開始投產，每次技術升級的投 產需要投入更高的資金。

2.為追趕全球競爭對手，理論上，我國集成電路投資增速需高於競爭對手

我國集成電路在產能以及技術與先進國家存在明顯差距，市場競爭力有待進一步提高。

目前中國的 300mm 晶圓廠的工藝並不處於領先地位，全球領先的晶圓廠目前正在升級10nm 工藝，並在未來的 12 個月至 24 個月內準備量產 7nm 工藝，而現在中國最先進的 晶圓廠尚未開始生產 14nm 晶片，計劃投資的晶圓廠也最高達到 28nm 工藝。

另外，我國 集成電路項目多為存儲器項目，目前武漢新芯科技投資的的 3D NAND 項目的工藝為 32層，而目前國際領先的 3D NAND 生產商的工藝已經升級到了 64 層和 96 層，我國和國際 先進水平尚存在較大差距。

韓國從半導體技術落後國家成長為技術領先國家，主要原因在於長期持續的高額資本投入。

參考韓國的經驗，不同於美國在半導體行業長期以來的科技領先優勢，韓國作為一 個後發國家，其半導體工業是一次典型的追趕超越式的突破創新。

韓國存儲器半導體產業 起點很低，從代工起步，在 80 年代中期開始轉向自主開發，以國家電子所為中心，三星、 海力士、LG 等大企業集團參加組織半導體研發組織，在 1992 年開始和美日同期開發 64M DRAM，此後 10 餘年韓國存儲器半導體徹底完成技術跨越，成為世界半導體存儲技術的領 先者，2001 年三星電子率先開發出 4G DRAM，成為存儲器方面全球技術最強的國家。

韓國能夠實現跨越式發展的主要原因在於持續長期的高投入，以三星電子為例，自 1993 年開 始半導體資本投入呈周期性增長趨勢，從 1993 年的 8 億美元增長到 2016 年的 113 億美 元，複合增長率高達 12%，且預期 2017 年半導體業務資本支出又將創新高。

韓國半導體產業追趕時期為 1983-1997 年，追趕時期投資複合增速 35%。

韓國半導 體產業從 1983 年開始研發 64K 存儲器，到 1997 年投產 256M 存儲器，技術從落後到 4年到領先全球共用了 10 多年時間，1993-1997 年三星電子資本支出複合增速高達 35%。

參考韓國經驗，我國集成電路產業想要實現趕超，必須長時間保持高額投資，且理論 上投資增速應當高於韓國 12%的年均增速，且不排除出現類似韓國在追趕期 35%的高速 投資增長。

我國目前集成電路主要投資方向也是存儲器，但是技術相比世界先進水平還有 較大差距，目前雖然存儲器投資相較過去大幅增長，但是決不能一勞永逸，未來只有持續 保持高投入，才有可能達到先進水平。

以 12 寸晶圓廠的產能趕超為例，根據 IC knowledge 的預測，到 2025 年我國 12寸晶圓廠產能全球占比將有現有的 9%提升到 24%。

根據 IC Knowledge LLC 製作的全球 所有當前服役、建設中和計劃建設的 300mm 晶圓廠的資料庫，跟蹤了全球 164 個晶圓廠 的情況，我國 2011-2017 年 12 寸晶圓廠產能占全球比例保持平穩，從 2017 年開始隨著 我國投資的晶圓廠陸續投產，我國晶圓廠產能占全球比例開始不斷提高，至 2025 年將成為 全球最大的集成電路製造國。

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