三星宣布將量產3nm工藝晶片 性能提升35%
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韓國科技巨頭三星在聖克拉拉舉行的2019年SSF晶圓代工論壇上宣布，他們已於4月與客戶分享3nm晶片工藝的設計套件。
與目前商用的7nm工藝相比，三星的3nm Gate-All-Around（GAA）電晶體工藝預計可節省45％的晶片面積，功耗降低50％，同時性能提高35％。
三星表示，這一工藝旨在幫助客戶儘早開始設計工作，提高競爭力，同時縮短周轉時間。
該公司還在活動現場展示了其三星高級代工生態系統雲（SAFE-Cloud）計劃。
SAFE-Cloud是一個允許用戶設計晶片的雲平台。
三星將與亞馬遜、Microsoft Azure合作其雲服務，與Cadence和Synopsys合作電子自動化，以便客戶通過雲平台提高工作效率。
上個月，三星宣布成功開發5nm工藝，該工藝將於明年初商業化。
他們表示還將部署突破性的28nm eMRAM，其寫入速度將比eFlash快1000倍。
上個月，三星宣布將在未來十年內為其邏輯晶片投資133萬億韓元。
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