英特爾推出了新的Foveros 3D晶片堆疊技術和10nm Sunny Cove CPU

英特爾Foveros不是新晶片的名稱，而是一種技術，可以讓晶片製造商捆綁各種垂直晶片組件，從而提高設備的速度，而無需等待新的晶片製造工藝成熟，如10nm晶片一直在推遲。

換句話說，通過Foveros，英特爾將能夠將各種晶片疊加在一起，包括CPU，內存和其他晶片，而無需擔心各自的底層製造技術。

如果這種「封裝上封裝」（PoP）技術聽起來很熟悉，那是因為我們已經在當前的智慧型手機中使用了PoP晶片設計。

然而，英特爾不只是將PoP從移動設備改為PC。

在手機和平​​板電腦上，PoP設計將內存與處理器結合在一起，將兩者連接成數百個連接。

與此同時，Frsos 3D晶片將使用蝕刻矽來改善互連的數量，從而提高速度。

Foveros技術已經開發了近二十年。

「近20年來，我們一直致力於這種封裝技術，」英特爾晶片架構主管Raja Koduri告訴路透社。

「在邏輯上堆疊邏輯時需要解決一些真正的物理問題。

」

Foveros 3D堆疊不是製造包含CPU和其他組件的完整10nm晶片，而是讓英特爾混合搭配各種晶片組件。

Ars表示，英特爾可以將10納米高性能CPU內核與USB，Wi-Fi，乙太網和PCIe組件結合使用，這些組件可以採用低功耗14納米或22納米工藝製造。

英特爾將在未來的設計中將這些不同的「小晶片」疊加在一起。

I / O和功率輸出等低功耗組件將位於基礎晶片上，而高性能邏輯則將堆疊在頂部。

首批此類晶片將於2019年下半年推出。

首批產品將包裝10nm計算邏輯，Intel 22FFL（FinFET低功耗）工藝基礎晶片和PoP存儲器。

10nm晶片將包括一個全新的Sunny Cove高功率內核，以及四個可處理輕負載的Atom內核。

如果這種架構聽起來很熟悉，那就是因為它是你在移動設備上的ARM處理器中看到的。

由此產生的處理器尺寸為12 x 12 x 1mm，需要2mW的待機功率，目標是超移動設備。

目前還不清楚哪些設備將使用新的英特爾晶片和架構。

但Intel今後Intel的所有產品，包括從移動設備到數據中心的設備都將隨著時間的推移而採用Foveros處理器。

英特爾還推出了一款全新的Gen11集成顯卡，旨在打破1TFLOPS屏障。

新的GPU將成為新的2019年10nm處理器的一部分。

與AMD正在採用與其新的Zen 2處理器類似的方法。

CPU邏輯基於7nm工藝，PCIe，DDR，USB和SATA放置在14nm I / O晶片上。

與此同時，高通公司最近宣布推出專為Windows 10設備設計的全新ARM平台：全新的7nm Snapdragon 8cx將直接與英特爾現有的部分晶片競爭，包括Foveros 3D。