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格羅方德放棄7nmLP 稱未來將以14nm為主

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最近的幾年，「摩爾定律」將死的傳言不斷，雖然英特爾極力否認並持續投入研究，但半導體製程微縮的速度變慢已經是不爭的事實。

雖然台積電和三星已經宣布完成7nm工藝開發，但第一代7nm工藝的電晶體密度、長度等參數，最多與英特爾期望中的10nm相同。

格羅方德(GlobalFoundries)8月28日宣布，他們將無限期暫停7nm LP工藝的開發，以便將資源轉移到更加專業的14nm和12nm FinFET節點的持續開發上。

格芯這一戰略轉折，發生在該公司加大對位於紐約馬爾他Fab8工廠加大投資的幾個月後。

格芯(格羅方德)首席技術官Gary Patton在接受AnandTech採訪時稱，格芯這一決定並不是因為7nm LP工藝面臨技術障礙，而是出於經濟方面的考慮。

格羅方德在未來一段時間裡，將專注射頻、嵌入式存儲器、低功耗定製產品在14nm、12nm FinFET工藝改進。

此外，格羅方德還計劃把重點放在22DFX和12FDX工藝上，以迎合低功耗、低成本以及高性能的RF/模擬/混合信號設計。

AnandTech報導還指出，格羅方德的5nm和3nm節點也已經被擱置。

格羅方德海計劃在2018年年底停止與IBM合作的晶片研究部門(SUNY Polytechnic Institute)。

格羅方德也會裁撤5%的員工，並與IBM和AMD重新商談供應協議。

格羅方德在新聞稿中指出，除AMD和IBM外的客戶，更青睞於已經成熟的14nm FinFET工藝，而不是尚未成熟的更前沿節點。

格羅方德之所停止7nm LP技術的研發，除了客戶需求外，更主要原因是7nm工藝高昂的開發費用，在難以吸引到長期的業務的情況下，沒有足夠的現金來支撐7nm、5nm甚至3nm製程開發。

在格羅方德當了更先進位程的逃兵後，台積電、三星和英特爾仍然在繼續追求更先進的節點。

與格羅方德相比，這三家企業擁有穩定的業務和收入來源，暫時不會有放棄先進節點想打。

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