第一台高端光刻機來到中國！三星慌了

中美貿易戰停戰，這是一個振奮人心的好消息。

不過，無論是加大進口農產品、能源，還是在智慧財產權方面的讓步，中國終究付出了不小的代價。

打鐵還需自身硬！我們必須在接下來的停戰期內，努力提高自生的研發能力和技術水平，特別是在晶片產業。

長江存儲第一台光刻機抵達武漢

今天，中國在存儲晶片行業迎來重大利好，根據最新消息稱，長江存儲有了自己的第一台光刻機。

據悉，這台光刻機同樣來自荷蘭ASML，193nm沉浸式設計，可生產20-14nm工藝的3DNAND快閃記憶體晶圓，售價達7200萬美元，約合人民幣4.6億元。

目前，該機已經運抵武漢天河機場，相關入境手續辦理完畢後，即可運至長江存儲的工廠。

此前曾有一種說法，最高端的光刻機技術受到《瓦森納協定》影響，被禁止向中國大陸出售。

ASML終於用實際行動駁斥了這一傳聞。

國家存儲器基地項目晶片生產機安裝儀式

根據官網資料，2016年底，國家存儲器基地項目(一期)一號生產和動力廠房在武漢正式開工建設，2017年9月底提前封頂，2018年4月5日首批價值400萬美元的精密儀器進場安裝。

長江存儲擁有完全自主智慧財產權的32層堆疊3D NAND快閃記憶體已經開始試產，不少產業鏈企業都拿到了樣片測試，預計今年第四季度量產。

同時，長江存儲還在推進64層堆疊3D快閃記憶體，力爭2019年底實現規模量產，與世界領先水平差距縮短到2年之內。

這台光刻機來到中國，意味著中國在生產設備上與其他國家處於同一起跑線，國產SSD固態硬碟也將迎來重大突破。

後續，長江存儲還會引入更多光刻機。

存儲晶片的全球格局

存儲器不僅是我國進口集成電路的大頭，而且在全球半導體市場占有舉足輕重的地位。

以2016年為例，世界半導體產業銷售收入為4197億美元，其中存儲器晶片為1200億美元左右，占全球半導體市場的30%，是僅次於邏輯電路的第二大產品。

而在存儲器這個領域，韓國人是毫無疑問的全球霸主。

在DRAM領域（也即是手機里的1G，2G，4G….內存），韓國擁有壓倒性優勢，三星+海力士占了全球份額80%；

在NAND FLASH領域(也就是手機里的32G,64G,128G…..內存)，三星+海力士也占了全球份額50%-60%

韓國的三星和海力士，也憑藉著在存儲器領域的出色表現，成功把韓國送進了世界半導體強國的行列。

2017年全球半導體排行榜Top 10

從Gartner發布的數據看，2017年全球半導體行業前10大企業中，憑藉在存儲器產業的壟斷地位，韓國的三星與SK海力士的排名上升至第一和第三。

三星半導體更是在2017年把壟斷了25年榜首寶座的因特爾扒了下來，成為世界第一大半導體公司。

韓國的人口只占全球的0.7%，在半導體領域，不只是存儲器，如果再算上三星的手機處理器的話，他們拿下了全球半導體市場的20%左右，超過了日本，歐洲和中國，可以說半導體產業是韓國人20多年前賭對了國運。

存儲器主要分為DRAM和FLASH，在2016年，市場容量DARM為大約414億美元， NAND FLASH 大約為346億美元，還有個市場份額比較小的Nor Flash市場，市場空間大約33億美元左右。

2017年，DRAM市場將達到720億美元的規模，DRAM預計將成為2017年半導體行業最大的單一產品類別，超出NAND快閃記憶體市場(498億美元)222億美元。

而中國在DRAM和FLASH領域，長江存儲可以說是唯一的玩家。

長江存儲的逆襲之路

說長江存儲，還得從武漢新芯說起。

武漢新芯是武漢的集成電路製造企業，成立於2006年，這家企業成立還是政府背景，是湖北省和武漢市下決心進軍集成電路製造領域的產物。

武漢新芯2008年9月開始為美國Spansion（飛索半導體）生產NAND Flash 快閃記憶體，那個時候武漢新芯的技術水平還在65nm這個階段。

飛索半導體快閃記憶體

然而好景不長，飛索半導體遭遇經濟危機之後業績一路下滑，到2010年武漢新芯訂單數量急劇下降。

不得不尋求出售，台灣台積電，美國美光，豪威都成為潛在的合資對象，

但是由於國內業界的呼籲，以及武漢市政府堅持自主的原則，最終放棄了合資計劃，每次我看到這裡，總是想為武漢政府點個讚。

這個時候武漢新芯已經成立四年了，可見中國集成電路製造企業的艱難。

武漢新芯2013年之後導入了兆易創新的NOR FLASH業務，為兆易創新提供製造服務，兩家國產設計和製造公司終於聯合起來了。

事實上，今年以來兆易創新的業績飆升，也帶動了武漢新芯的收入上漲。

兆易創新創始人朱一明

武漢新芯的命運轉機還是來自於2014年11月成立的國家集成電路大基金，這個基金推動中國先進集成電路產業發展。

2016年3月武漢新芯宣布，將投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導體存儲企業，集中精力研究生產NANDFLASH和DRAM。

240億美元，武漢新芯哪裡來這麼多錢呢？背後是國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產業投資基金股份有限公司、國開發展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資作為股東。

四個月之後的2016年7月，在國家大基金的推動下，紫光集團參與進來，共同在武漢新芯公司的基礎上成立了長江存儲公司，武漢新芯成為長江存儲的全資子公司。

2017年1月，紫光集團進一步宣布投資300億美元(約2000億人民幣)，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要生產3D NAND FLASH(快閃記憶體)、DRAM存儲晶片。

目前長江存儲的重心放在3D NAND flash的開發上面，同時也在推進20/18nm的DRAM開發。

根據長江存儲 CEO 楊士寧介紹，長江存儲正全力推進64 層 3D NAND ，估計2019年底能實現量產。

目前韓國三星已經在2017年量產64層 NAND，可以看出中國和韓國的技術差距在2年，2年看似很短，其實在競爭激烈瞬息萬變的市場，已經是極大的差距了。

不僅是技術上比不上，現在三星和海力士又在瘋狂投資建廠製造價格周期。

我們說長江存儲三四年的時間投資540億美元建成武漢+南京兩大基地，這個數字看起來很多，平攤到每年也就100多億美元，而韓國人一年在存儲器領域的投資就超過200億美元。

其中，2017年三星的資本支出將達到創紀錄的260億美元，光是NAND FLASH就投了140億美元。

海力士也沒有閒著，2017年11月，SK海力士與無錫市政府簽約，計劃投資86億美元擴充DRAM產能。

2019年，很有可能中國的存儲器剛出世，就要面臨低價周期開始來臨的局面，同時由於技術上比韓國差，還會處於售價和利潤率也比韓國人低的情況。

抗韓將是長期的進程。

在包括存儲器在內的晶片行業是一個技術密集型產業，製程沒人家好，生產效率沒人家高，市場就是人家的，中國企業只能跟在後面吃土。

中國要想實現在晶片行業的逆襲，就要做好長期燒錢，10年不盈利的心理準備，要做好隨時被國外設備廠商卡脖子的準備。