重金增建EUV專用產線 三星將於2019年初量產10納米DRAM

據韓媒Digital Times報導，三星電子即將在華城廠區17產線附近的停車場空地增建1條新的EUV專用產線，最快2017年12月就會動工，預定2019年啟用,將利用初期10納米技術生產DRAM，開業界先河。

韓國ETNews報導稱，三星華城Line 17工廠預計投資在2.5萬億到3萬億韓元之間，約合22-26.4億美元，以300mm晶圓計算，擴建之後每月產能將提升3.5萬片晶圓，目前的產能約為4萬片晶圓/月。

三星華城廠區內有DRAM、NAND Flash、晶圓代工等多種半導體產線，目前三星還在研議是否將這條EUV產線與其餘7條原本的半導體產線、輸送帶連接運行。

業界認為，三星除了要在晶圓代工使用EUV設備，也有意將EUV設備用在DRAM生產，2019年領先同業量產1znm製程DRAM。

三星增建產線會在當地帶來交通負荷，但最近華城市政府已通過交通影響環評審議，因此三星只需完成剩餘的建廠申請行政流程，立刻就可以動工。

三星雖未明確公布將使用幾台EUV設備，但業界推測應在4~8台。

皆為保住DRAM市場龍頭寶座

半導體大廠搶進先進位程，尤以10納米以下必須導入波長只有13.5納米的極紫外光(EUV)，才能降低晶圓製造的光罩數，縮短晶片製程流程。

由於要價1.5億美元（摺合新台幣約45億元）的EUV設備，目前只有艾司摩爾(ASML)獨家供應。

三星在2016年10月開始以現有的曝光設備反覆刻畫電路量產18nm DRAM，至今尚未公布1ynm DRAM量產計劃，業界認為三星已準備好1znm量產技術，只是無法決定導入時間點。

熟悉三星電子情況的人士說，原則上三星的EUV機台只會用在7納米晶圓代工，不過有些可以拿來生產DRAM。

三星最可能以ASML生產的EUV機台進行量產，預料將裝設4~8台EUV設備，但機台價格動輒數千億韓元，製程速度慢是最大缺點，三星能否獲利仍是未知數，。

專家預測，雖然導入EUV仍有幾項缺點，三星仍會考慮用EUV生產10納米DRAM，以維持市場龍頭寶座。

前不久韓媒曾報導三星擬訂下ASML近90%的機台，以阻礙台積電等廠的量產進度。

三星是全球DRAM霸主，市調機構的資料顯示，2017年第3季三星在移動設備與伺服器DRAM市場的占有率各為58.3%、45.9%，DRAM的營業利益率更高達62%。

2016年下半年首先量產18納米DRAM，今年下半年將推進至15納米，製程領先對手1至2年。

據韓媒報導，三星電子的半導體事業司令部已由器興移到華城。

會長權五鉉執掌半導體暨設備解決方案事業部(DS)時期，權五鉉的辦公室位於器興廠區，社長金奇南接任DS部長後，每天上下班地點是華城廠區內的半導體零組件研究大樓，業界認為金奇南將會加強對系統半導體事業的管理效率。

SK海力士、美光拚命追趕

另外，三星的競爭對手SK海力士也有意以更先進位程生產DRAM。

傳聞2017年第4季SK海力士將啟動1xnm DRAM生產，並在2018年下半開發出1ynm DRAM製程，但SK海力士並未明確提到是否採用EUV設備。

DRAM第三大廠美光也在拚命追趕。

美光已於今年第一季量產18納米DRAM，計劃未來兩三年砸下20億美元，研發13納米DRAM製程。

美光在日本廣島廠增設無塵室設備，併購買了多項高價生產儀器，進入13納米製程之後，同一片晶圓能分割成更多晶片，生產力將提高20%。