全球首見！3-bit NAND flash 由平面走向 3D、三星量產
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三星電子（Samsung Electronics）9 日宣布量產業界首見的 3-bit 3D 內存 NAND flash 晶片，可用於 SSD 硬碟，提升儲存效率。
韓聯社報導，三星 8 月首次發布這款記憶晶片，每個記憶單元（cell）皆可儲存 3 bit 數據，之前 3-bit 技術僅用於平面（Planar）NAND flash，如今拓展用途，使用於 3D NAND flash。
新款 3-bit 3D 晶片採用第二代 V-NAND 技術，垂直堆疊 32 層，整合程度比 24 層晶片高出 30%。
NAND flash 多用於智慧型手機、平板等移動設備，電源關閉後，儲存內容也不會消失。
DRAMeXchange 數據顯示，今年第 2 季，三星電子 NAND flash 市占率達 30.8%，季增 0.8%。
BusinessKorea 9 月 16 日報導，2000 年中期以來，NAND flash 製程從 40 納米一路降至 16 納米，業界專家認為 14 納米將是微縮製程極限，因為 10 納米 NAND flash 技術上雖然可行，可是所需的設備投資過高，就算生產也難以獲利。
微縮製程遭遇瓶頸，業者因此另闢蹊徑，改採 3D 垂直架構。
報導稱，其中三星電子技術最為先進，今年 5 月推出業界首見 V-NAND 技術堆疊 32 層，高於前代的 24 層。
部分專家預估，三星可能已經完成 48 層堆疊的原型技術。
另外 SK 海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）等也投入研發。
（MoneyDJ新聞 記者 陳苓 報導）
首圖來源：三星
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- 發布日期 2014 年 10 月 09 日
- 分類 晶片
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