Intel想滅了三星/海力士?
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編者按:由於對DRAM過於依賴,近年來英特爾半導體龍頭地位搖搖欲墜,現在英特爾似乎下決心要扳倒後進:打算力推嵌入式DRAM (eDRAM),三星、海力士表示亞歷山大。
韓媒BusinessKorea 1日報導,當前DRAM市場由三星和SK海力士稱霸,據傳英特爾想削弱對手,第六代Skylake CPU配備eDRAM,提高圖形運算效能。
eDRAM和DRAM不同之處在於,eDRAM內建在CPU
die內,DRAM則和CPU各自獨立。
業界分析師稱,英特爾先前的Haswell和Broadwell晶片已內建eDRAM,原本是實驗性質,如今已成為核心策略。
日本和美國的半導體雜誌也說,中長期而言,英特爾或許會整合CPU和DRAM,發展eDRAM。
報導稱,英特爾作法仿效蘋果,蘋果A系列處理器效能極為穩定,數據和圖形處理速度都快過Android機種。
A系列晶片DRAM小於Android機,卻因採用高效能SRAM和CPU有突出表現。
和SRAM相比,eDRAM的優勢在生產成本較低,容量較大。
與此同時,英特爾的3D XPoint技術也可能重創DRAM,美國業者獨霸個人電腦和伺服器 CPU,可能會藉此推展新技術,如果3D
XPoint用於伺服器、電腦、行動裝置,未來可能成為業界主流,逼走DRAM。
BusinessKorea 8月7日報導,英特爾、美光7月29日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」,儲存的資料比DRAM高出十倍,讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多,如此革新的技術讓三星電子、SK海力士大為緊張。
3D
XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技,能完全改變資料儲存的方式,半導體專家相信,自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之後,3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。
外資也似乎不看好三星和SK海力士前景。
韓聯社報導,8月31日為止,外資連續第18天賣超韓股。
外資賣盤集中在三星電子和SK海力士。
8月5日到上周五為止,外資賣超了7,513億韓圜(6.35億美元)的三星持股。
SK海力士是外資第二拋售對象,賣超額達5,498億韓圜。
韓聯社日文版8月18日報導,根據TrendForce旗下記憶儲存事業處DRAMeXchange公布的報告指出,三星電子、SK海力士(SK Hynix )等韓廠早就在行動DRAM市場上握有絕對優勢,不過非韓陣營潰敗情勢似乎尚未停歇,上季(2015年4-6月)韓廠市占率再度飆上新高、市占率首度衝破8成關卡。
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