三星量產 TSV DDR4 模組！速度快一倍、用電省一半
文章推薦指數： 80 %
DDR4 時代逐漸來臨！三星電子（Samsung Electronics）27 日宣布開始量產業界首見的直通矽晶穿孔（Through-Silicon Via，TSV）封裝的 DDR4 模組，速度較前代快上一倍，用電量卻只要一半。
韓聯社報導，三星公關主管 Kim Ki-hoon 表示，TSV 技術能直接傳送數據，可大幅提升效率。
新推出的 DDR4 為 64GB，供伺服器使用，由 36
個四層晶片組成，每個晶片內含 4 個 4 gigabit DRAM。
三星表示，TSV 技術還能堆疊更多晶片，模組容量可大於 64GB。
三星稱量產 TSV DRAM 模組可讓該公司稱霸高階 DDR4 DRAM 市場，也能為今年下半推出的次世代中央處理器，提供高效解決方案，該公司將於下半年生產 64GB 以上的高階 DDR4 模組。
三星估計，今年全球 DRAM 市場達 386 億美元，其中伺服器需求約占 20%，預估雲端運算盛行會帶動高階 DRAM 需求。
Tech 2 網站 13 日報導，英特爾（Intel）X99 平台預料會在 9 月的英特爾開發者論壇亮相，會場發表的 8 核心桌電處理器 Haswell-E 和 X99 平台都可能會採用 DDR4 記憶體。
Techgage 報導，DDR4 價格高昂，以 Crucial 的 DDR4 模組為例，價格較 DDR3 高出 60% 以上。
ValueWalk 20 日公布 Capital Cube 分析師 Veibha Subramaniam 報告，當前市面智慧手機使用的 DRAM 多為 DDR3 晶片。
三星、美光、SK 海力士布局次世代科技，均開始量產 20 奈米製程的 DDR4 晶片，以便用於新 iPhone 和 Android 智慧手機。
華亞科將於今年底量產 DDR4 晶片，南科可因持有華亞科股權受惠。
（MoneyDJ新聞 記者 陳苓 報導）
工藝漸成熟，英特爾、台積電等爭戰10納米
英特爾(Intel)旗下10納米生產線已開始啟用，2016年第3季將進入原型樣式試產階段，在此情況下英特爾已將相關成本計入該公司第3季財務預算中，英特爾也重申10納米Cannonlake處理器已...
英特爾10納米產線2017上半年量產有望
集微網8月1日消息，英特爾10納米製程產線終於開始運轉，預料本季可正式展開制樣試產，相關成本也已經納入英特爾第三季預算。在此同時，英特爾也證實，以14納米製程打造、代號為Kaby Lake的第七...
可怕的台積電，一口氣買下5台EUV光刻機
版權聲明：本文內容來自經濟日報，如您覺得不合適，請與我們聯繫，謝謝。巴隆周刊（Barrons）報導，艾司摩爾（ASML）上周公布上季財報亮眼，並宣布已接到新一代極紫外光（EUV）微影機台六部訂單...
台積牽手ARM 挑戰英特爾數據晶片霸業
晶圓龍頭台積電(2330)攜手安謀(ARM)PK英特爾資料中心晶片(Data center Chip)霸主地位。據日經新聞報導，兩家半導體巨擘合作開發伺服器晶片技術，欲瓜分英特爾在資料中心高達9...
中國品牌智慧型手機出貨加溫，Q2行動式內存產值季增17.2%
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange（全球半導體觀察）調查顯示，第二季華為、OPPO與vivo領軍，帶動中國品牌智慧型手機出貨持續增溫，加上行動式內存位元供給的增...
DRAM微縮到頂！新內存MRAM、ReRAM等接班？
DRAM和NAND Flash微縮製程逼近極限，業界認為次世代內存「磁電阻式隨機存取內存」(MRAM)、「可變電阻式內存」(ReRAM)可能即將現身，要以更快的訪問速度橫掃市場。韓媒Busine...
3D NAND成半導體業不景氣救世主
韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業界採用的是水平結構，...
聯發科攻中高端 10納米Helio X30、X35連發
聯發科為擴大產品線覆蓋範圍，繼首顆10奈米晶片「X30」依計畫今年底、明年初就會量產，全力搶攻高階市場，考慮再推出同樣採用10奈米製程的「X35」，擴大滿足中高階市場需求。聯發科早已是台積電首批...
7nm落後台積電三年？Intel未回應
外電報導，全球半導體龍頭英特爾的徵才啟事，意外透露該公司先進位程進度可能比預期落後，最關鍵的7奈米製程量產時間點可能延至2021年，比台積電落後近三年。至截稿前，未取得英特爾回應。法人認為，英特...
金士頓：整個2017年DRAM都會缺貨
版權聲明：本文內容來自經濟日報，如您覺得不合適，請與我們聯繫，謝謝。全球存儲模組大廠金士頓預估，今年因為主要DRAM大廠沒有增產計劃，全年DRAM面臨缺貨窘境；群聯董事長潘健成也強調，儲存型快快...
晶圓廠產能陸續超出 28nm價格競爭加劇
晶圓代工市場目前前景未明，過去3年以來帶動市場呈現兩位數成長的領域已日漸飽和。即使2015年營收預料可增加3.6%，下半年起晶圓代工業者仍對庫存不斷增加與匯率波動大感憂心。就長期來看，少數幾家龍...
Intel想滅了三星/海力士？
編者按：由於對DRAM過於依賴，近年來英特爾半導體龍頭地位搖搖欲墜，現在英特爾似乎下決心要扳倒後進：打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，三星、海力士表示亞歷山大。韓媒BusinessKore...