傳三星將斥資10億美元投資美奧斯汀廠

三星電子不只備戰6納米，還打算在2020年進入4納米？韓國消息稱，三星砸下10億美元投資美國德州奧斯汀廠，替製程微縮備戰。

韓媒The Investor 27日報導，本月三星電子將斥資10億美元投資德州奧斯汀廠，該廠房負責製造用於移動設備的系統單晶片(SoC)等。

PhoneArena消息顯示，奧斯汀廠是蘋果A系列處理器的重要生產基地。

三星同時公布了晶圓代工的發展路徑，當前主力為第二代10納米Fin FET，今年準備進一步研發8納米，2018年進入7納米，2020年轉入4納米。

三星認為第四波工業革命即將到來，屆時物聯網應用將遍地開花，高效能晶片需求倍增，因此提前做好準備。

在此之前已有消息稱，三星將跳級研發6納米製程，預定2019年量產。

據傳台積電7納米微縮製程大幅超前三星電子，成功奪走高通7納米處理器大單。

韓國消息稱，三星恨得牙痒痒，打算直攻6納米製程扳回一城。

韓媒etnews 27日報導，台積電花最少精力研發10納米，跳級直取7納米的策略奏效，搶走三星的高通訂單。

三星心有不甘，打算從10納米，直攻6納米製程，目標2019年量產。

據傳三星晶圓代工部門心知無力挽迴轉單，重心放在6納米，今年將裝設兩台艾司摩爾(ASML)極紫外光(EUV)微影設備「NXE3400B」，明年還會裝設7台。

韓媒Investor引述etnews報導，業界人士表示，儘管三星晶圓代工部門痛失高通訂單，但是由於台積7納米製程更省電、表現更好，三星移動通訊部門應該會使用次代高通處理器。

由此看來，明年Galaxy S9旗艦機也許會和今年的S8一樣，繼續並用高通晶片和三星自家的Exynos處理器。

MoneyDJ新聞5月10日報導，據了解，台積電10納米製程今年已成功量產，7納米於今年初完成技術驗證，第二季進入試產階段，預計明(2018)年進入量產；後(2019)年則預計推出採用部分EUV製程的7+納米並導入量產，至於5納米目前已開始進行研發，預計2019年上半年可進入試產。

如需獲取更多資訊，請關注全球半導體觀察官網（www.dramx.com）或搜索微信公眾帳號（全球半導體觀察）。