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你知道嗎？價值超億美元的EUV光刻機 直接決定晶片發展

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我們都知道半導體工藝越先進越好，用以衡量工藝進步的就是線寬，常說的xxnm工藝就代表這個，這個數字越小就代表電晶體越小，電晶體密度就越大。

這樣生產出來的晶片單位面積才能容納更多的電路、同理，晶片也能更小，功耗也能大大降低。

現在半導體公司都進軍10nm工藝，但面臨的物理限制越來越高，半導體工藝提升需要全新的設備。

EUV即紫外光刻機就是製程突破10nm及之後的7nm、5nm工藝的關鍵，目前，全球僅有荷蘭的ASML公司有能力生產EUV光刻機，其出價也是超億美元。

影響我們曝光線寬的關鍵部件是這個曝光系統，再細說就是這鏡頭和光源了。

要想讓線條達到10nm、7nm，就必須要更加苛刻的光學條件。

這個張圖我們可以看到，要想提高解析度，可以從光源、孔徑NA和工藝三個方面來考慮。

目前大多光刻廠家已經突破的是浸液式光刻，即將光源先穿過一定的液體，讓NA提高。

其實要想更好的提高解析度，光源測的波長會減小會更有優勢。

這就說到EUV（Extreme Ultraviolet 極紫外光）光刻機了，這其實也是asml目前的選擇。

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