EUV熱潮不斷 中國如何推進半導體設備產業發展？

國際半導體製造龍頭三星、台積電先後宣布將於2018年量產7納米晶圓製造工藝。

這一消息使得業界對半導體製造的關鍵設備之一極紫外光刻機（EUV）的關注度大幅提升。

此後又有媒體宣稱，國外政府將對中國購買EUV實施限制，更是吸引了大量公眾的目光。

一時之間，仿佛EUV成為了衡量中國半導體設備產業發展水平的標杆，沒有EUV就無法實現半導體強國之夢。

以目前中國半導體製造業的發展水平，購買或者開發EUV光刻機是否必要？中國應如何切實推進半導體設備產業的發展？

所謂的極紫外光刻，光刻技術應用於現代集成電路製造中，採用波長10 ~ 14 nm紫外光為光源，曝光波長減小到13.5nm，不僅使技術可以擴展到32nm光刻過程，更重要的是，它使納米級時間的半導體製造工藝更簡化，生產周期可縮短。

Lin Yu對賽迪半導體研究所副所長認為，對中國電子報記者：「曝光是晶片製造技術的主要環節。

」。

目前主流的晶片製造是基於193nm光刻機。

然而，193nm沉浸式光刻技術難以支持低於40nm的生產工藝，所以22和20nm及以下技術節點，晶片製造商必須193nm沉浸式技術和多種成像技術結合使用，以突破極限的過程。

然而，多重光刻的過程需要多次光刻、蝕刻、沉積和其它處理，這實際上提高了製造成本並延長了處理周期。

因此，EUV技術本質上是通過增加工藝成本來平衡工藝成本和循環成本。

例如，EUV技術是隨著組估計的規定啟用，只有1的口罩可以產生7nm和5nm節點。

從理論上講，它可以簡化過程，縮短生產周期。

對此，核心研究部主任王曉龍說：「EUV技術的研發主要是針對傳統工藝的多次曝光等繁瑣問題。

在過去，曝光過程可以重複2～3次，但EUV技術可以一次完成，既縮短了工藝，又節省了時間。

在簡化過程和縮短生產周期的同時，EUV也提高了生產能力並提高了效率。

太早中國購買

根據紫外，在國內傳出一個聲音：「西方瓦瑟納爾協議」的限制，中國只能在低端產品，購買ASML出價更高，可以購買的高端設備設備。

The day before, ASML China President Jin Yongxuan denied this in an "China electronic newspaper" interview with reporters. 據金永軒說：「一個國內知名的半導體晶圓廠現已推出7NM ASML EUV訂單談判過程，第一EUV設備落戶中國指日可待。

」

也就是說，EUV不限制進口中國。

然而，最大的問題可能不是EUV技術進入中國有限的或沒有，但有必要買嗎？由於EUV開發技術難度高，特別是EUV光源的功率不足，導致曝光時間太長，因此EUV變得實際是非常困難的，EUV技術是目前較成熟的國際企業只有ASML的EUV，銷售價格是非常高的，超過1億歐元的價格。

目前，EUV主要應用範圍為5nm以下7nm流程節點，節點尤其是晶圓製造過程。

「對於國內製造企業來說，晶片製造工藝水平不達EUV的範圍是好的，目前我們28納米批量生產，14納米仍然布局。

極紫外，如果使用這種技術的14nm晶片生產，成本太高。

」Lin Yu指出。

王曉龍也認為，EUV技術仍然是中國面臨的一個挑戰。

王曉龍介紹，EUV主要開始在7nm，目前國內暫時沒有這項技術的應用。

國內集成電路相對落後，還沒有達到EUV技術的先進水平。

一些國內企業還沒有在這項技術中發揮輔助作用。

EUV進入中國可能需要幾年了，目前國內28nm剛剛開始，2020，然後7nm約14nm，最壞的預測可能是2025，而中國的技術相對落後，趕上先進技術將生產成本高，還沒有足夠的資金來支持這一技術。

」王曉龍說。