代工巨頭突然宣布:7nm之後的工藝不玩了
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在製程推進到10nm以內後,研發難度也越來越大,這點從Intel的10nm從2016年跳票到2019年就能夠看出。
此前,得益於三星背後的支持,GlobalFoundries(格羅方德,格芯)的7nm走在前列,而且今年3月還約請少數資深記者前往旗下最先進的紐約Malta的Fab 8工廠,引見他們方案向7nm EUV推進。
但是,方案趕不上變化,GF今日宣布,出於經濟要素思索,放置7nm LP項目,將資源回歸到12nm/14nm FinFET以及12FDX/22FDX上。
當前,GF的12nm/14nm多用在AMD的銳龍處置器、Radeon GPU上,12FDX/22FDX則能夠提供優質的性價,可用於集成模仿和射頻組件的IC,如5G基帶。
依照AnandTech的報導,GF的5nm和3nm研發也將終止,今年底前逐漸停掉與IBM矽研發中心在這方面的協作。
固然,關鍵客戶AMD隨後宣布,7nm產品將由台積電打造,且協作良好,但其實AMD和GF確實有基於7nm的研發方案,包括五年期的晶圓協議也有7nm的框架。
外媒剖析,GF此次宣布後,和IBM以及AMD可能需求重新就晶圓協議停止會談。
最後要說的是,GF退出後,四家明白運用7nm EUV技術的廠商便只剩下了三星、台積電和Intel。
按技術規劃,GF的7nm共有三代,第一代DUV,第二代局部引入EUV極紫外光刻,第三代密集運用EUV。
此前,世界第三大代工廠聯電(UMC)也在本月宣布放棄對12nm以下製程節點的研發。
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在製程推進到10nm以內後,研發難度也越來越大,這點從Intel的10nm從2016年跳票到2019年就可以看出。此前,得益於三星背後的支持,GlobalFoundries(格羅方德,格芯)的7...
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