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中芯國際推出28nm HKMG高性能工藝，將為聯芯量產4G晶片

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儘管國內公司在處理器晶片領域取得了不俗成績，但在半導體製造領域，中國公司短時間內還是很難跟Intel、三星、TSMC台積電等巨頭相比，工藝技術至少差了兩代。

中芯國際（SMIC）日前宣布他們開發的28nm HKMG高性能工藝已經成功流片，將為聯芯科技的4G晶片代工。

中芯國際是另一位台灣晶圓代工業教父級人物張汝京在大陸創立的本土代工企業，此前已經使用28nm多晶矽（PolySiON）工藝為高通代工驍龍410處理器，現在推出的28nm HKMG（高介電常數金屬閘極）工藝屬於高性能工藝，通過使用高介電常數材料，HKMG工藝能有效改善驅動能力，進而提升電晶體的性能，同時大幅降低柵極漏電量。

中芯國際的28nm HKMG工藝已經通過了驗證，正準備量產。

目前已經用於聯芯的4G晶片流片，雖然具體型號沒提，不過通告中提到這款晶片速度達到了1.6GHz。

中芯國際CEO及執行董事邱慈雲博士表示，中芯國際還將持續對28nm工藝進行改良，預計今年底推出基於HKMG工藝的緊湊加強版，為客戶提供更多選擇。

話說回來，儘管28nm還會長期存在，不過這種工藝相比TMSC、三星的16/14nm FinFET工藝已經落後了兩代，中芯國際也在開發自己的14nm FinFET工藝，去年比利時國王訪華時，中芯國際、高通、華為及比利時微電子中心聯合簽署了合作協議，聯合開發14nm FinFET工藝，但量產時間有可能到2020年，依然會比國際主流工藝落後一點。

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