2019年我國先進工藝和存儲技術有望實現突破

雖然2018年全球半導體市場保持了兩位數增長，但據市場調研機構預測，2019年全球半導體市場將進入低迷期，增長將回歸個位數。

國內企業在全球經濟環境不確定性增強和市場低迷的影響下，增長率也將同比下降。

回顧2018年，集成電路技術仍沿著摩爾定律不斷疊代演進，在集成電路設計、製造和封測等方面都取得了顯著成果。

（1）集成電路設計

2018年，集成電路設計方面，手機晶片、人工智慧晶片、礦機晶片等成為引領技術變革的重要產品。

華為、蘋果、高通紛紛發布7nm手機晶片，融合了更強的計算處理和人工智慧技術。

2018年9月，華為發布了全新一代晶片麒麟980，這是全球首款採用7nm工藝製程的商用級手機晶片，也是全球第一個採用ARM強大的新型Cortex A76 CPU；同時是全球第一個採用集成雙核NPU設計的晶片和全球第一個採用Mali的新G76顯卡晶片。

同月，蘋果發布了新款iPhone，新手機首次使用了7nm進程工藝製造的A12仿生晶片。

蘋果A12仿生晶片具有6核CPU和4核GPU，還有蘋果公司自家的神經網絡機器學習功能，6核中有2個高功率核心和4個低功率核心，高功率核心的速度比之前的晶片快15%，耗電減少40%，而新版的低功率核心比之前晶片的耗電低50%。

同時，英偉達、AMD等公司則繼續發力人工智慧市場，其GPU廣泛應用於人工智慧雲端訓練和推理。

在英偉達公司2019財年第一季度的財報當中，其表現再次超出預期--總收入增長66%，強勁的數據中心業務增長71%（本季度收入達到1.7億美元）。

對於英偉達公司而言，「數據中心」業務部分包括高性能計算（簡稱HPC）、數據中心託管圖形以及人工智慧加速幾大組成部分。

（2）集成電路製造

台積電和三星在先進工藝製程繼續競賽領跑，相繼實現7nm工藝量產，進一步鞏固代工優勢，三星、東芝、英特爾等相繼推出96層NAND存儲技術，DRAM也加速邁向1ynm；我國中芯國際也實現16/14nm工藝小規模量產，縮短與國外差距，長江存儲、合肥長鑫和福建晉華也實現存儲工藝突破，在做量產前準備。

2019年8月份，長江存儲在美國聖克拉拉召開的全球快閃記憶體峰會上發布突破性技術XtackingTM ，該技術將為3D NAND快閃記憶體帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。

長江存儲計劃在2019年第四季度量產64層堆疊的3D NAND快閃記憶體晶片。

（3）集成電路封測

集成電路封測方面，扇出型封裝等高端封裝技術競爭激烈。

台積電、日月光等仍為技術引領龍頭，國內長電科技、通富微電、華天科技等企業也在積極擴產加快部署。

長電科技在2018年上半年全球前十大IC封測代工企業排行榜中位居第三。

長電科技在晶圓級封裝領域創新發明了「晶圓級晶片六側面體包覆封裝技術」；在國內和韓國工廠實現了高集成度和高精度SiP模組的大規模量產；開發了用於智慧型手機處理器的FC-POP封裝技術；全資子公司長電先進已成為全球最大的集成電路Fan-in WLCSP封裝基地之一。

華天科技開發了0.25mm超薄指紋封裝工藝，實現了射頻產品4G PA的量產；MEMS產品實現了多元化發展，開發了心率傳感器、高度計及AMR磁傳感器並成功實現量產；其TSV+SiP指紋識別封裝產品成功應用於華為系列手機。

通富微電率先實現了7nmFC產品量產；高腳數FC-BGA封裝技術領先企業，為CPU國產化提供了有力保障；建立第一條12英寸FAN OUT工藝量產線，線寬2um/線距2um；Cu Pillar實現10nm產品的量產；成功研發生產出業界集成度最佳的射頻物聯網集成模塊；國內首條12寸Gold Bump生產線成功實現量產。

展望2019年

在5G、人工智慧等需求驅動下技術將繼續加快變革創新，台積電和三星等代工廠將取代Intel承擔起推動摩爾定律前行的重任，預計2019年將實現5nm工藝試產，2020年量產。

製造業格局的變化和摩爾定律物理極限的逼近，也讓更多企業和產品結構站在同一起跑線上，催生出更多體系架構創新、應用產品創新和異構集成技術創新，如為適應5G高頻需求，高通聯合村田公司採用將天線、射頻前端和收發器整合成單一系統的AiP（Antenna in Package）封裝技術，預計在5G商用後實現大規模應用。

我國領先設計企業也將共享集成電路代工技術進步紅利，逐步縮小於國外先進水平的差距，中芯國際將加快14nm及以下工藝的技術追趕步伐。

長江存儲、合肥長鑫等將分別實現NAND和DRAM產品的量產，實現我國自主品牌存儲器產品重大突破。