快閃記憶體領先遭強力挑戰，三星投180億美元到晶片產業

來源：內容來自新浪科技和MoneyDJ ，謝謝。

據MoneyDJ在7月3日的報導，韓媒etnews 4日報導，業界消息證實，SK Hynix第四代72層的3D NAND進入量產，主要用於移動裝置，並已交貨給客戶。

SK Hynix 4月份才宣布研發出72層3D NAND，3個月內就進入量產，速度極為驚人。

一般研發成功之後，快的話要6個月，慢的話要一年以上，才會開始量產。

以三星電子為例，該公司2016年8月研發出64層3D NAND，今年6月才宣布量產，大約花了10個月時間。

據傳SK Hynix 不只量產，生產效能也極佳，該公司72 層3D NAND 生產率提高30%，與三星64 層3D NAND 近似，而且達到「黃金良率」（golden yield），比美三星。

不只如此，新品採用SK Hynix 自家的控制器和韌體（firmware），不再對外採購，可提高毛利。

專家稱，如此一來，SK Hynix 的競爭優勢逼近三星。

SK Hynix 是NAND Flash 的第四大廠，市占率落後三星電子、東芝、Western Digital（WD）。

不過目前東芝和WD 為了東芝記憶體業務出售案，鬧得不可開交，倘若SK Hynix 掌握72 層3D NAND 技術，可趁勢奪取客戶，改寫NAND 市場版圖。

投180億擴充晶片市場，有意而為之？

在SK海力士挑戰的消息傳出之後，北京時間7月4日上午消息，韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元（約合186.3億美元），以鞏固其在內存晶片和下一代智慧型手機領域的領先地位。

這家營收居位全球第一位的存儲晶片製造商表示，到2021年，該公司在平澤市的新NAND工廠總計投入將達到14.4萬億韓元，其中的6萬億韓元將用於建造一條新的半導體生產線，但未對時間或產品加以詳細說明。

由於市場對長期數據存儲晶片的需求不斷增長，該公司還將在中國西安的NAND工廠增設一條生產線，但沒有設定投資金額或時間框架。

外界普遍預計，三星和其他內存生產商將在2017年實現利潤創紀錄，因為智慧型手機和伺服器的性能不斷提高，從而導致價格上漲。

行業消息人士和分析師表示，由於高端存儲產品的普及，NAND晶片的短缺問題更為嚴重。

一些分析師表示，三星的生產技術至少要比東芝和SK海力士（SK Hynix Inc））等競爭對手領先一年。

三星每年在半導體領域的投資超過100億美元，幫助其保持領先優勢。

分析師表示，最新投資旨在拉大這一差距。

近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數百億美元來推動NAND快閃記憶體的生產，但分析師和業內人士表示，由於新設備在2017年無法提供有意義的供應，短缺可能至少持續到明年。

一些分析師表示，這種額外的產能可能會在2018年初造成輕微的供應過剩，但隨著智慧型手機製造商選擇更大的內部存儲，價格崩潰的現象不太可能發生。

市場對用於雲計算和虛擬現實應用程式的高端伺服器存儲的需求也將繼續增長。

「我相信，2020年之前，NAND市場環境將繼續利好供應商，」HMC投資分析師Greg Roh表示。

他說，任何供應過剩的問題都將是暫時的，而且僅限於季節性較弱的時期。

三星表示，對韓國的投資是為了響應新總統文在寅的號召，將在2021年創造多達44萬個就業機會，並將有助於提振經濟。

該公司周二還表示，三星顯示器公司計劃在韓國新成立一家企業，生產有機發光二極體顯示器，投資約1萬億韓元。

中國的長江存儲也是未來的挑戰？

三星前有強敵，在後面也有追兵。

自從紫光和武漢新芯合作打造快閃記憶體產業，並拉攏了高啟全來負責全新的長江存儲以後，中國存儲產業獲得了突飛猛進的進步。

這無疑會給三星帶來壓力。

在今年四月份，高啟全接受媒體採訪時表示，公司現已投入3D NAND研發，2017年底提供32層3D NAND的樣本，將是公司技術自主的里程碑，之後從事64層技術，待該技術成熟後，長江存儲才會投入3D NAND量產，屆時與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等國際大廠的技術差距會縮短至一代左右。

再者，長江存儲也考慮自己開發DRAM技術，可能的切入點是18/20納米製程，無論是3D NAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技術，不會再走過去台灣技術授權的老路！

高啟全表示，無論是DRAM或3D NAND技術，最好的合作夥伴是美光，但現在政治氣氛不對，美國對大陸半導體產業的積極度有被威脅之感，因此洽談的時間會再延長，但美光1年來全球DRAM市占率從28%掉到18%，不快加入長江存儲的陣營一起奮鬥，未來只會更辛苦。

長江存儲分為武漢和南京12寸廠兩大據點，各自單月產能都是30萬片規劃，外界對於這樣的產能規模，以及何時量產都有很多疑問，他強調，12寸廠規劃不會是虛晃一招，但技術沒成熟前也絕對不會冒然投產，長江存儲的內存規劃是有計劃、慢慢做，千秋大業是急不得，我們也不會去打亂市場的行情。

高啟全指出，這樣的12寸產能規模將會成為對抗三星電子(Samsung Electroncis)的充裕子彈和最佳利器，歡迎美光加入，現在南韓控制全球DRAM市占高達80%、NAND Flash高達60%，不出幾年的時間，南韓就會掌握全球90%的內存晶片，這是全世界都該害怕的事情，三星是全球科技業的威脅。

他進一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力，對台灣亦有利，以大陸有計劃的布局可扮演此角色，且只有大陸才有這個資源投入，長江存儲就是基於這個出發點而誕生，也是大基金唯一真正投資的內存陣營。

他強調，3D NAND和DRAM技術絕對在大陸自主開發，技術不成熟時不會冒然投產，另外，我們不會再走回過去台灣技術授權的失敗老路，發展自有技術同時，侵犯別人專利會付錢，且長存已累積多個3D NAND專利，別人用到也要付費，唯有合法來源取得技術，持續前進，才能吸引到全球人才，打造國際級的規格。

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1325期內容，歡迎關注。

R

eading