中國存儲器晶片市場風雲迭起，誰將成為「攪局者」？

隨著全球信息化浪潮的不斷湧起，智慧型手機、人工智慧以及物聯網等領域迎來高速發展契機。

值此背景之下，其上游存儲器晶片產業再遇爆發期，作為生產、消費大國的中國，自然首當其衝，成為存儲器晶片大戰的主戰場。

在中國存儲器晶片市場風雲迭起的同時，「攪局者」的出現正緩緩改變著戰場的局勢……

美日韓的壟斷之勢

在全球半導體市場日益擴張的趨勢下，晶片市場供不應求之勢越發明顯，這其中又以存儲器市場為最。

據統計，2016全球存儲器市場容量約800億美元左右，約占半導體市場的23%，是僅次於邏輯電路的第二大產品。

以目前市場來看，存儲器主要分為DRAM和NAND Flash兩大類。

其中2016年DARM市場容量約414億美元，NAND Flash約346億美元。

在DRAM方面，全球DRAM價格持續七個季度高漲，是歷來漲勢最久的一次，據業界人士預測，此漲勢將持續至2018年第二季度。

在NAND Flash方面，全球NAND Flash產線出現2D向3D轉移的現象，且3D NAND 在SSD產品上的應用也日趨增多，至此快閃記憶體市場供應得到緩解。

而在供應短缺以及高增長的背後，壟斷之勢也越發明顯。

據數據調查顯示，僅三星電子、SK海力士、英特爾、美光科技以及東芝半導體等五家美日韓半導體企業，幾乎壟斷了全球95%左右的存儲器市場。

以三星電子為例，據業界人士預估，在三星今年260億美元半導體資金中，3D NAND Flash約為140億美元，DRAM約為70億美元。

面對如此「誘人」的存儲器市場，三星電子完全無法忍住誘惑。

據消息透漏，三星電子計劃於2018年將DRAM價格上調5%左右，並且會加大3D NAND Flash技術研發的投入。

而且，隨著智慧型手機、人工智慧以及物聯網需求的增加，3D NAND Flash將得到長足發展。

在這種趨勢下，中國也開始了布局。

紫光國際「攪局」 破勢而出

事實上，在全球存儲器市場需求的不斷驅動下，中國存儲器市場的起色也很明顯。

為了打破美日韓企業的壟斷之勢，中國晶片企業並未放棄對半導體的研究。

而且隨著半導體製程技術的不斷衍進，存儲器晶片研發難度隨之加大，加之3D NAND技術的出現，都為國產存儲器廠商彎道超車提供了機會。

2016年，在三星電子、SK海力士、英特爾、美光以及東芝等存儲器廠商開始量產32層3D NAND Flash的時候，國內存儲器廠商才開始布局，錯失良機的國內存儲器廠商急忙與政府合作，投資建立「國產存儲器基地」，建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房以供3D NAND Flash研發與生產。

在這場全球3D NAND Flash市場之戰中，紫光國際首先「舉旗」，長江存儲、武漢新芯以及中國科學院微電子研究所緊隨其後，互相配合共同研發3D NAND Flash技術。

2017年11月中旬，長江存儲已經成功研發出32層3D NAND Flash晶片，預計將於2018年實現量產。

目前，紫光國際與長江存儲已經在研究64層3D NAND Flash技術，預計將於2019年實現量產。

機遇與挑戰並存

當然，彎道超車依舊困難重重。

從國內存儲器廠商的發展情況來看，主要面臨的機遇有以下四點：

其一，全球存儲器晶片價格持續走高、市場供不應求的趨勢；

其二，智慧型手機、人工智慧以及物聯網等科技的不斷發展，導致存儲器晶片的需求也隨之增加；

其三，全球存儲器領先技術突破的趨勢減緩，各項技術的不斷成熟；

其四，國家政策的不斷出台，政企聯合之勢擴大。

在機遇存在的同時，國內存儲器廠商所面臨的挑戰也不可謂不小，主要體現在以下三方面：

其一，國內存儲器技術人才匱乏，導致技術研發速度過慢；

其二，原材料價格的不斷上漲，導致投入過高；

其三，存儲器增長過快，產能過剩的風險隨時將至。

小結：

從國內存儲器市場的趨勢來看，紫光國際以及長江存儲已成為「攪局者」，於國內存儲器產業而言，將是一把利劍，也是打破美日韓壟斷國內存儲器市場的希望。

可以預料的是，隨著國內3D NAND Flash技術的不斷突破與成熟，加之DRAM產量的不斷提升，未來與五大存儲器巨頭的差距將越來越小。