IBM公布3bit PCM存儲晶片 1000萬次壽命

日前在巴黎舉行的IEEE國際存儲工作組會議上，藍色巨人IBM蘇黎世研究中心的科學家公布了新的存儲晶片成果，他們在64K單元陣列上首次實現每單元3bit數據存儲，而且在極高溫度及100萬次可靠性循環之後依然能保持數據可靠。

PCM存儲晶片的研發工作始於上世紀60年代，不過一直沒有商業化，主要原因是產品的存儲密度和存儲成本無法商業化，IBM此次公布的3bit PCM存儲方案，可以在原有1bit的單元存儲格中存儲3bit的數據，存儲密度得到顯著提升。

同時產品相對於傳統的NAND快閃記憶體，IBM研發的3bit PCM可以經受住1000萬次的數據寫入，遠高於TLC NAND甚至是SLC NAND產品，二關鍵的存儲速率方面，3bit PCM也非常出色，是NAND快閃記憶體的50多倍。

PCM：（Phase-change memory，相變內存），是一種非易失性存儲器裝置。

PRAM使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）製成。

硫族化物玻璃的特性是，經加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。

這些不同狀態具有相應的電阻值。

因此PRAM可以用來存儲不同的數值。

它是可能取代快閃記憶體的技術之一。