華為麒麟980傳採用台積電的7nm工藝，晶片工藝以後的路該怎麼走？

來自台灣產業鏈的消息稱，台積電7nm FinFET工藝贏摘得了多家中國AI晶片企業的訂單，比如華為海思、寒武紀科技，未來在這方面的代工優勢還會進一步擴大。

華為海思的自然就是下一代麒麟980。

華為和台積電關係密切，比如16nm工藝的麒麟960、10nm工藝的麒麟970，都是雙方合作的成果。

麒麟980將升級為最新7nm工藝，仍然交給台積電代工。

雖然此前有消息稱，三星、GlobalFoundries乃至是Intel都想爭取麒麟處理器的訂單，但最終還是花落台積電。

華為

理解一下什麼叫這裡的7nm。

所謂的XX nm其實指的是，CPU的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度，也被稱為柵長。

這裡的7nm代表的就是7nm的柵長。

柵長越短有什麼作用呢？

柵長越短，則可以在相同尺寸的矽片上集成更多的電晶體——比如：Intel曾經宣稱將柵長從130nm減小到90nm時，電晶體所占得面積將減小一半；在晶片電晶體集成度相當的情況下，使用更先進的製造工藝，晶片的面積和功耗就越小，成本也越低。

晶片已經到7nm，繼續往下做不就好了嗎？

在採用現有晶片材料的基礎上，電晶體柵長一旦低於7nm，過短的電晶體柵長會使電子移動的距離縮短，容易導致電晶體內部電子自發通過電晶體通道的矽底板進行的從負極流向正極的運動，也就是漏電。

而且隨著晶片中電晶體數量增加，原本僅數個原子層厚的二氧化矽絕緣層會變得更薄進而導致泄漏更多電子，隨後泄漏的電流又增加了晶片額外的功耗。

電晶體中的電子就很容易產生隧穿效應，為晶片的製造帶來巨大的挑戰。

現有晶片材料是指什麼呢？就是矽。

這個地表元素裡面排名第二的元素。

相信和筆者一樣學過化學的小夥伴們都背過吧？地殼表面元素排名：氧矽鋁鐵...

晶片

而矽這種材料締造了超額的財富，就像世人熟知的「矽谷」，它的名字的由來就源於矽。

百度百科上可查詢：之所以名字當中有一個「矽」字，是因為當地的企業多數從事與由高純度的矽製造的半導體及電腦相關的產業活動。

場效應電晶體

場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。

主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。

台積電的7nm FinFET，後面的FET指代的就是場效應電晶體的意思。

說了那麼多，場效應電晶體的7nm工藝就是工藝極限。

以後的發展會怎麼樣呢？

想要突破這個工藝極限，選用新款材料如：碳納米管、石墨烯或者摻雜一些改性劑的碳納米管複合材料。

都是未來研究的重點。

所以不要再被忽悠啦，越低的nm製程確實會更好，帶來的成本也越高，但是具體使用，其實也差不多的。

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